[发明专利]与聚硫密封剂一起使用的组合物及相关方法有效
申请号: | 202110014408.4 | 申请日: | 2021-01-06 |
公开(公告)号: | CN113121874B | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 比尼尔·伊蒂·伊佩·坎达帕里尔;西吉·托马斯 | 申请(专利权)人: | 波音公司 |
主分类号: | C08J11/28 | 分类号: | C08J11/28;C08J11/24;C08J11/14;C08J11/10;C09J181/04;C08L81/04 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 张晓影 |
地址: | 美国伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 密封剂 一起 使用 组合 相关 方法 | ||
本申请公开了与聚硫密封剂一起使用的组合物及相关方法。提供了用于改变聚硫密封剂中固化度的组合物。在实施方式中,该组合物包含水可混溶的有机溶剂;水;和二硫醇。还提供了包含该组合物的聚硫密封剂系统。还提供了使用该组合物改变聚硫密封剂中固化度的方法。
技术领域
本申请涉及与聚硫密封剂一起使用的组合物及相关方法。
背景技术
聚硫密封剂在整个航天工业中使用,例如,以保护和密封燃料罐的组件。这些密封剂需要定期除去。然而,由于将聚硫密封剂设计为是极耐用的且强烈粘附至它们所接触的基底,因此除去它们是困难的。现有的聚硫密封剂除去技术包括刮掉或磨掉密封剂,这是费时的并且可能损害周围的基底。用于除去聚硫密封剂的组合物是可用的,但是包含苛刻的化学品。尽管这些苛刻的化学品可能是有效的,但是它们可能是恶臭的,对环境和健康造成危害,并且还可能损害周围基底。
发明内容
提供了与聚硫密封剂(polysulfide sealant,聚硫密封胶)一起使用的组合物。还提供了使用该组合物的方法。
在一个方面,提供了用于改变聚硫密封剂中固化度的组合物。在第一实施方式中,该组合物包含水可混溶的有机溶剂;水;和二硫醇。在第一实施方式中,二硫醇可以是1,4-二硫醇。在任何以上实施方式中,二硫醇可以是二硫苏糖醇(DTT)、二硫赤藓糖醇(DTE)或者DTT和DTE两者。在任何以上实施方式中,水可混溶的有机溶剂可以是酮、醛、醇或它们的组合。在任何以上实施方式中,该组合物可以包含比水更大量的有机溶剂。在任何以上实施方式中,二硫醇可以以0.1重量%至10重量%范围内的量存在。在任何以上实施方式中,该组合物可以具有7至10范围内的pH,或者8至9范围内的pH。在任何以上实施方式中,该组合物还可以包含胶凝剂、碱性pH剂或两者。在任何以上实施方式中,该组合物可以基本上由水可混溶的有机溶剂;水;二硫醇;和任选地,胶凝剂、碱性pH剂或两者组成。
在另一个方面,提供了聚硫密封剂系统。在第一实施方式中,该系统包含用于改变聚硫密封剂中固化度的组合物,该组合物包含水可混溶的有机溶剂;水;和二硫醇;和用于形成聚硫密封剂的可固化聚硫化物组合物。在第一实施方式中,聚硫密封剂可以具有-70℃至-40℃范围内的Tg。
在另一个方面,提供了使用任一实施方式的聚硫密封剂系统的方法。在第一实施方式中,该方法包括由可固化聚硫化物组合物形成聚硫密封剂;和将用于改变聚硫密封剂中固化度的组合物施用至聚硫密封剂的表面上一段时间。在第一实施方式中,聚硫密封剂可以具有-70℃至-40℃范围内的Tg。
在另一个方面,提供了用于改变聚硫密封剂中固化度的方法。在第一实施方式中,该方法包括将包含水可混溶的有机溶剂、水和二硫醇的组合物施用至聚硫密封剂的表面上一段时间,借此形成处理的聚硫密封剂。在任何以上实施方式中,处理的聚硫密封剂可以包含至少部分未固化的聚硫密封剂,并且该方法还可以进一步包括施加足以除去至少一部分至少部分未固化的聚硫密封剂的力。在任何以上实施方式中,聚硫密封剂可以与航天结构接触。在任何以上实施方式中,与聚硫密封剂相比,组合物的施用可以将所处理的聚硫密封剂的Tg降低至少5℃,与聚硫密封剂相比,将所处理的聚硫密封剂的肖氏A硬度降低至少5个单位,或者两者。在任何以上实施方式中,该方法还可以包括将所处理的聚硫密封剂暴露于氧化气氛另外一段时间。在包括这种暴露的任何以上实施方式中,与聚硫密封剂相比,暴露可以提高所处理的聚硫密封剂的Tg,与聚硫密封剂相比,提高所处理的聚硫密封剂的肖氏A硬度,或者两者。在包括这种暴露的任何以上实施方式中,暴露可以将所处理的聚硫密封剂的Tg提高至聚硫密封剂的Tg的±2℃内,将所处理的聚硫密封剂的肖氏A硬度提高至聚硫密封剂的肖氏A硬度的±2个单位内,或者两者。在包括这种暴露的任何以上实施方式中,聚硫密封剂可以包括缺陷,并且该方法还包括在将所处理的聚硫密封剂暴露于氧化气氛另外一段时间之前,修复缺陷。在任何以上实施方式中,聚硫密封剂可以具有-70℃至-40℃范围内的Tg。
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