[发明专利]一种串联IGBT均压控制电路及方法有效
| 申请号： | 202110015794.9 | 申请日： | 2021-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN112817363B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 颜云岭;王鹏程;王成瑞;吴国栋;李作才;裴杰;曹传钊;曹曦 | 申请（专利权）人： | 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司;华能泰山新能源有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/573 | 分类号： | G05F1/573 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 崔方方 |
| 地址： | 102209 北京市昌平区北七*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 串联 igbt 控制电路 方法 | ||
1.一种串联IGBT均压控制方法，基于串联IGBT均压控制电路，其特征在于，包括以下步骤：
IGBT管的集-栅极间电压VCG小于Ts管雪崩击穿电压VTs时，所述的串联IGBT均压控制电路对VCG电压进行第一阶段斜率控制；
当VCG＝VTs时，Ts管发生雪崩击穿，所述的串联IGBT均压控制电路实现第一阶段峰值钳位控制作用；
当VCG＞VTs时，所述的串联IGBT均压控制电路对VCG电压进行第二阶段斜率控制；
所述第一阶段斜率控制、第二阶段斜率控制由电容Cs、Ts管、电容C1实现；
第一阶段峰值钳位控制作用由Ts管实现；
所述串联IGBT均压控制电路，包括：二极管D1、电阻R2、电阻Rs、Ts管、电容Cs、电阻R1和电容C1；
IGBT管的集电极与二极管D1的阳极连接；
电阻R2一端连接二极管D1的阴极，另一端连接Ts管的集电极；
电容Cs接于Ts管的集-栅极间；
电阻Rs接于Ts管的栅-源极之间；
电容C1与电阻R1并联后一端连接Ts管的发射极，另一端与IGBT管的栅极连接。
2.根据权利要求1所述的串联IGBT均压控制方法，其特征在于，IGBT管的栅极连接有驱动电路；所述电容C1与电阻R1并联后另一端连接所述驱动电路。
3.根据权利要求1所述的串联IGBT均压控制方法，其特征在于，二极管D1抑制反向电流，防止栅极电流流入钳位电路影响驱动。
4.根据权利要求1所述的串联IGBT均压控制方法，其特征在于，电阻R2起限流作用，防止电流过大。
5.根据权利要求1所述的串联IGBT均压控制方法，其特征在于，电阻Rs用于防止Ts管误导通。
6.根据权利要求1所述的串联IGBT均压控制方法，其特征在于，电容Cs起到增大Ts管米勒电容的作用。
7.根据权利要求1所述的串联IGBT均压控制方法，其特征在于，电阻R1为电容C1的放电电阻。
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