[发明专利]一种大尺寸晶圆片减薄工艺有效
申请号: | 202110015809.1 | 申请日: | 2021-01-07 |
公开(公告)号: | CN112757055B | 公开(公告)日: | 2023-01-03 |
发明(设计)人: | 刘姣龙;刘建伟;刘园;武卫;由佰玲;裴坤羽;孙晨光;王彦君;祝斌;常雪岩;杨春雪;谢艳;袁祥龙;张宏杰;刘秒;吕莹;徐荣清 | 申请(专利权)人: | 天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司 |
主分类号: | B24B1/00 | 分类号: | B24B1/00;B24B19/22;B24B41/06;B24B47/12;B24B47/20;B24B47/22;H01L21/304;H01L21/67 |
代理公司: | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人: | 栾志超 |
地址: | 300384 天津市滨海*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 尺寸 晶圆片减薄 工艺 | ||
1.一种大尺寸晶圆片减薄工艺,其特征在于,步骤包括:
执行对晶圆片的厚度进行单面减薄;
减薄时,用于减薄所述晶圆片厚度的砂轮磨盘与所述晶圆片交叉叠放接触,以设定减薄后厚度目标值分阶段地对所述晶圆片逐层进行减薄,并实时采用测厚针与所述晶圆片表面连续接触以监测所述晶圆片减薄后的厚度值;
当减薄后厚度目标值与厚度最终值的差值为2-5μm时,所述测厚针远离所述晶圆片直至减薄结束;同时,在设定转速情况下所述磨盘仍以前一阶段的进给速度一旋转若干圈,再向远离所述晶圆片一侧移动一定距离,停止旋转;
再在同一所述设定转速条件下,以进给速度二向靠近所述晶圆片一侧的方向移动,并以所述进给速度二对所述晶圆片厚度进行减薄,直至减薄结束;当厚度目标值与厚度最终值的差值大于2-5μm时,所述磨盘以所述进给速度一进行若干阶段减薄,且在每一减薄阶段中,所述进给速度一为定值;
所述进给速度一为0.3-0.5μm/s;
当厚度目标值与厚度最终值的差值不大于2-5μm时,所述磨盘以进给速度二进行分阶段减薄,且在每一减薄阶段中,所述进给速度二为定值;所述进给速度二为0.2-0.4μm/s,且所述进给速度二小于所述进给速度一。
2.根据权利要求1所述的一种大尺寸晶圆片减薄工艺,其特征在于,在整个减薄过程中,所述磨盘转速和所述晶圆片转速均恒定不变,且所述磨盘旋转方向与所述晶圆片旋转方向相同。
3.根据权利要求2所述的一种大尺寸晶圆片减薄工艺,其特征在于,所述磨盘转速为1600-1800r/min;所述晶圆片转速为150-200r/min。
4.根据权利要求1-3任一项所述的一种大尺寸晶圆片减薄工艺,其特征在于,在所述减薄步骤之前,还包括对所述晶圆片进行定位的步骤,所述定位步骤包括对任一所述晶圆片圆心进行定位并使其上V型槽朝预设位置设置。
5.根据权利要求4所述的一种大尺寸晶圆片减薄工艺,其特征在于,在所述减薄步骤之后,还包括对减薄后的所述晶圆片的非减薄面进行清洁的步骤,采用连续设置的若干毛刷组件沿所述晶圆片非减薄面的直径全面接触,并边旋转边对所述晶圆片非减薄面进行刷洗。
6.根据权利要求5所述的一种大尺寸晶圆片减薄工艺,其特征在于,所述清洁步骤过程中还包括所述晶圆片相对于其与所述毛刷组件接触的面水平前后或左右晃动。
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