[发明专利]一种单晶硅电池片扩散提效及扩散后处理氧化工艺

权利要求书

1.一种单晶硅电池片扩散提效及扩散后处理氧化工艺，其特征在于：包括以下步骤：

S1、将单晶硅电池片置入快速平衡高温加热炉内，准备进行扩散提效；

S2、开启快速平衡高温加热炉，将炉体内温度升高至700-800℃并快速达到温度平衡状态，通入含有POC13的氮气和氧气，进行第一次扩散；

S3、将快速平衡高温加热炉的炉体内温度升高至800-850℃并快速达到温度平衡状态，通入含有POC13的氮气和氧气，进行第二次扩散；

S4、将快速平衡高温加热炉的炉体内温度降至780-795℃并快速达到温度平衡状态，通入含有POC13的氮气和氧气，进行第三次扩散；

S5、将快速平衡高温加热炉的炉体内温度降至500-600℃，通入氧化气体，对扩散后的单晶硅电池片进行氧化处理，在单晶硅电池片的表面生成一层氧化膜；

S6、通过湿化学清洗，将单晶硅电池片表面的氧化膜腐蚀剥离，完成整个处理工艺。

2.根据权利要求1所述的一种单晶硅电池片扩散提效及扩散后处理氧化工艺，其特征在于：所述S2中，含有POC13的氮气为500-550sccm，通入的氧气为850-850sccm；

所述S3中，含有POC13的氮气为680-840sccm，通入的氧气为640-690sccm；

所述S4中，含有POC13的氮气为550-600sccm，通入的氧气为550-590sccm。

所述S5中，氧化处理时间为5-8min，氧化气体为水蒸汽，且氧化气体内还包括有氯气。

3.根据权利要求1所述的一种单晶硅电池片扩散提效及扩散后处理氧化工艺，其特征在于：所述S5中，氧化处理时间为5-8min，氧化气体为水蒸汽，且氧化气体内还包括有氯气。

4.根据权利要求1所述的一种单晶硅电池片扩散提效及扩散后处理氧化工艺，其特征在于：所述快速平衡高温加热炉包括炉体（1），所述炉体（1）内部设有扩散和氧化工作区，所述炉体（1）的内壁上固定有多个等间距分布的高温炉嘴（2），所述炉体（1）的内部中心处插接有搅动轴（3），所述搅动轴（3）的顶端贯穿炉体（1）设置，所述炉体（1）的内底部中心处固定有轴承座（7），所述搅动轴（3）底端与轴承座（7）连接，所述炉体（1）的上表面固定有电机支架（4），所述电机支架（4）的顶端固定有驱动电机（5），所述驱动电机（5）的输出端与搅动轴（3）的顶端相连接，所述驱动电机（5）的外壁上固定有多组呈环形分布的扰流板（6），所述扰流板（6）上开设有扰流孔（8），所述扰流孔（8）为一端孔径大于另一端的喇叭状，相邻扰流板（6）上的所述扰流孔（8）反向设置，所述炉体（1）的左右两侧内壁上固定有多组水平设置的限位杆组（11），且每组限位杆组（11）包括两根平行设置的限位杆，每组所述限位杆组（11）上支撑有两个滚动调温球（12）。

5.根据权利要求4所述的一种单晶硅电池片扩散提效及扩散后处理氧化工艺，其特征在于：所述滚动调温球（12）包括第一柔性耐高温导热球体（13），所述第一柔性耐高温导热球体（13）的外壁上固定呈球面分布的第一导热石墨纤维（14），所述第一柔性耐高温导热球体（13）的侧壁上开设有多个容纳腔，且容纳腔内部固定有球面磁铁（15），所述炉体（1）的左右两侧侧壁上均开设有空腔（9），且空腔（9）内部设有交流电磁铁（10），所述第一柔性耐高温导热球体（13）的内部中心处设有固定球（16），且固定球（16）的外壁上固定有多个沿其球面均匀分布的感温伸缩调节机构（17），所述第一柔性耐高温导热球体（13）的内壁上还固定有多个均匀分布的转动调温球（18），且转动调温球（18）与感温伸缩调节机构（17）交错设置。