[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一基底；

在所述基底上形成一第一金属基层，所述第一金属基层的材料为铝；

在所述第一金属基层上沉积铜原子，扩散至所述第一金属基层中的所述铜原子与所述第一金属基层中的铝原子形成铜铝合金，所述铜铝合金在所述基底上形成一第一合金层，未扩散至所述第一金属基层中的所述铜原子在所述第一合金层上形成一第一金属层，所述第一合金层和所述第一金属层形成栅极结构层。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述基底上形成一第一金属基层的步骤，包括：

提供一第一靶材，所述第一靶材的材料为铝；

在所述基底上沉积从所述第一靶材中溅射出的铝原子，以形成一第一金属基层。

3.根据权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述形成一第一合金层和一第一金属层的步骤，包括：

提供一第二靶材，所述第二靶材的材料为铜；

在所述第一金属基层上沉积从所述第二靶材中溅射出的铜原子，所述铜原子扩散至所述第一金属基层中，并与所述第一金属基层中的铝原子形成铜铝合金，所述铜铝合金在所述基底上形成一第一合金层；

继续在所述第一合金层上沉积所述铜原子，以形成一第一金属层。

4.根据权利要求3所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述形成一第一合金层的步骤，包括：

在所述第一金属基层上沉积从所述第二靶材中溅射出的铜原子，所述铜原子扩散至所述第一金属基层远离所述基底的部分中，并与所述第一金属基层中的铝原子形成铜铝合金，所述第一金属基层未掺杂所述铜原子的部分为第二金属层，所述铜铝合金在所述第二金属层上形成一第一合金层，所述第一合金层的厚度大于所述第二金属层的厚度，所述第一金属层、所述第一合金层和所述第二金属层形成所述栅极结构层。

5.根据权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述形成一第一合金层和一第一金属层的步骤，包括：

提供一第二靶材，所述第二靶材的材料为铜；

在所述第一金属基层上沉积从所述第二靶材中溅射出的铜原子，以形成一第二金属基层；

在一预设温度下，所述第二金属基层中的所述铜原子扩散至所述第一金属基层中，并与所述第一金属基层中的铝原子形成铜铝合金，所述铜铝合金在所述基底上形成一第一合金层，所述第二金属基层中未扩散至所述第一金属基层的所述铜原子在所述第一合金层上形成一第一金属层,所述预设温度介于300摄氏度-400摄氏度之间。

6.根据权利要求5所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述形成一第一合金层的步骤，包括：

在所述预设温度下，所述第二金属基层中的所述铜原子扩散至所述第一金属基层远离所述基底的部分中，并与所述第一金属基层中的铝原子形成铜铝合金，所述第一金属基层未掺杂所述铜原子的部分为第二金属层，所述铜铝合金在所述第二金属层上形成一第一合金层，所述第一合金层的厚度大于所述第二金属层的厚度，所述第一金属层、所述第一合金层和所述第二金属层形成所述栅极结构层。

7.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第一金属基层的厚度介于10埃-200埃之间。

8.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：

基底；以及

栅极结构层，所述栅极结构层包括依次设置于所述基底上的第一合金层和第一金属层，所述第一合金层的材料为铜铝合金，所述第一金属层的材料为铜。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极结构层还包括第二金属层，所述第二金属层设置于所述第一合金层靠近所述基底的一侧，所述第一合金层的厚度大于所述第二金属层的厚度。

10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括权利要求8或9所述的阵列基板。