[发明专利]一种陶瓷迁移管及其制作方法

权利要求书

1.一种陶瓷迁移管，其特征在于，包括：

迁移室（3）；

电离室（1），所述电离室（1）设置在所述迁移室（3）的一端；

法拉第杯组件（5），所述法拉第杯组件（5）设置在所述迁移室（3）的另一端；

离子门组件（2），所述离子门组件（2）设置在所述电离室（1）与所述迁移室（3）之间；以及

抑制栅（4），所述抑制栅（4）设置在所述迁移室（3）与所述法拉第杯组件（5）之间；

其中，所述迁移室（3）包括多个环形绝缘陶瓷片（31）和多个环形金属电极片（32），所述环形绝缘陶瓷片（31）与所述环形金属电极片（32）依次交替排列，相邻的所述环形绝缘陶瓷片（31）与所述环形金属电极片（32）密封焊接；

所述电离室（1）包括源座（11）、C形弹片（12）和片状电离源（13），所述源座（11）上贯通设置有中空孔（111），所述C形弹片（12）过盈配合固定在所述中空孔（111）中，所述片状电离源（13）采用溅射或蒸镀方式沉积在所述C形弹片（12）内壁上；

在所述中空孔（111）内壁上突出设置有限位凸台（112），用于轴向顶挡所述C形弹片（12）；

在所述中空孔（111）的径向一侧设置有夹取凹槽（113），用于夹取安装或者拆卸所述C形弹片（12）。

2.根据权利要求1所述的陶瓷迁移管，其特征在于，所述环形绝缘陶瓷片（31）与所述环形金属电极片（32）通过焊料焊接固定，所述环形金属电极片（32）的膨胀系数等于或者接近于所述环形绝缘陶瓷片（31）的膨胀系数。

3.根据权利要求2所述的陶瓷迁移管，其特征在于，所述环形绝缘陶瓷片（31）采用95瓷或者99瓷，所述环形绝缘陶瓷片（31）厚度为1mm-3mm；和/或，

所述环形金属电极片（32）采用可伐合金，所述环形金属电极片（32）厚度为1mm-3mm，和/或，

所述焊料采用银铜合金。

4.根据权利要求2所述的陶瓷迁移管，其特征在于，所述环形绝缘陶瓷片（31）表面金属化并烧氢处理，所述环形金属电极片（32）表面经清洗镀镍并烧氢处理。

5.根据权利要求1所述的陶瓷迁移管，其特征在于，所述离子门组件（2）包括第一离子门栅（21）、陶瓷隔离片（22）和第二离子门栅（23）；所述陶瓷隔离片（22）设置在所述第一离子门栅（21）与所述第二离子门栅（23）之间，用于使所述第一离子门栅（21）与所述第二离子门栅（23）间隔设定距离；所述陶瓷隔离片（22）与所述第一离子门栅（21）及所述第二离子门栅（23）之间密封焊接。

6.根据权利要求1所述的陶瓷迁移管，其特征在于，所述法拉第杯组件（5）包括法拉第杯（51）和套装在所述法拉第杯（51）上的陶瓷屏蔽罩（52）；所述法拉第杯（51）表面抛光并镀金，以减小探测器噪声；所述陶瓷屏蔽罩（52）外圈金属化处理，焊接后与所述抑制栅（4）等电位，用于屏蔽外界信号对所述法拉第杯信号的干扰；所述法拉第杯（51）通过连接杆与所述陶瓷屏蔽罩（52）密封焊接。

7.一种陶瓷迁移管制作方法，其特征在于，所述陶瓷迁移管制作方法用于制作权利要求1-6中任一项所述的陶瓷迁移管，所述陶瓷迁移管制作方法包括：

提供待焊陶瓷迁移管预制件，所述待焊陶瓷迁移管预制件包括多个所述环形绝缘陶瓷片（31）和多个所述环形金属电极片（32），所述环形绝缘陶瓷片（31）与所述环形金属电极片（32）依次交替排列，相邻所述环形绝缘陶瓷片（31）与所述环形金属电极片（32）之间设置有焊料；

将所述待焊陶瓷迁移管预制件放置于氢钎焊炉中，在氢气保护氛围下以第一预设升温速率将所述氢钎焊炉升温至第一预设温度，并保温第一预设时间段，其中所述第一预设温度小于所述焊料熔点；

以第二预设升温速率将所述氢钎焊炉升温至第二预设温度，并保温第二预设时间段，其中所述第二预设温度大于或等于所述焊料熔点，所述第二预设升温速率小于所述第一预设升温速率；

以第三预设降温速率将所述氢钎焊炉降温至第三预设温度；

将所述氢钎焊炉降温至第四预设温度，并停止所述氢钎焊炉中的氢气供给。