[发明专利]一种石墨烯/黑硅复合结构光电探测器结构在审
| 申请号： | 202110016531.X | 申请日： | 2021-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN112768535A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 邓国亮;李悦;杨莫愁;周昊 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/028;H01L31/101 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610065 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 复合 结构 光电 探测器 | ||
【权利要求书】：
1.一种石墨烯/黑硅光电复合探测器结构，其特征在于：从下至上分别包括覆盖整个Si衬底（5）下表面的金属下端电极（4）、Si衬底（5）、位于Si衬底（5）表面的重掺杂层（3）、位于重掺杂层（3）上方的石墨烯层（2）、设置在石墨烯层（2）上表面的金属上端电极（1）以及；所述石墨烯层（2）与上端电极（1）之间形成欧姆接触。
2.根据权利要求1所述的一种石墨烯/黑硅复合光电探测器结构，其特征在于：通过化学气相沉积法制备后借助聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）转移，在重掺杂黑硅层（3）的吸光面上制备作为透明电极的石墨烯层（2）。
3.根据权利要求1所述的一种石墨烯/黑硅光电复合探测器结构，其特征在于：在石墨烯层（2）上蒸镀，制备一金属上端电极（1）并与石墨烯之间形成欧姆接触，金属材料为铝、金或金铬合金。
4.根据权利要求1所述的一种石墨烯/黑硅复合光电探测器结构，其特征在于通过飞秒/纳秒激光在含掺杂元素的气氛下辐照硅实现重掺杂，或通过飞秒/纳秒激光辐照表面蒸镀有含掺杂元素材料的硅实现重掺杂，或通过离子注入的方式实现重掺杂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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