[发明专利]周期信号探测装置及周期信号的探测方法在审

专利信息
申请号: 202110016620.4 申请日: 2021-01-07
公开(公告)号: CN112768605A 公开(公告)日: 2021-05-07
发明(设计)人: 沈来川;周艳 申请(专利权)人: 香港中文大学(深圳)
主分类号: H01L43/08 分类号: H01L43/08;H01L43/02;G01H11/02;G01H11/06
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 虞凌霄
地址: 518172 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 周期 信号 探测 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种周期信号探测装置,其特征在于,包括:

基底;

反铁磁层,位于所述基底上方,用于承载磁结构;

信号注入层,位于所述基底和所述反铁磁层之间,用于在待测信号和参考信号注入信号注入层后产生驱动信号,所述驱动信号用于驱动磁结构;

磁电阻检测层,位于反铁磁层上方,所述磁电阻检测层第一面面积小于反铁磁层第一面面积,其中所述磁电阻检测层第一面和反铁磁层第一面为所述磁电阻检测层与反铁磁层的相对面;

其中,所述磁电阻检测层和反铁磁层的其中之一为磁电阻信号输入端、另一为磁电阻信号输出端。

2.根据权利要求1所述的周期信号探测装置,其特征在于,所述磁电阻检测层包括至少一磁电阻检测单元,所述磁电阻检测单元包括:

隧穿绝缘层,位于所述反铁磁层上方;

顶部金属层,位于所述隧穿绝缘层上方;

其中,所述顶部金属层作为所述磁电阻信号输出端,所述反铁磁层作为所述磁电阻信号输入端。

3.根据权利要求2所述的周期信号探测装置,其特征在于,所述磁电阻检测层包括第一磁电阻检测单元、第二磁电阻检测单元和第三磁电阻检测单元,所述第一磁电阻检测单元、第二磁电阻检测单元和第三磁电阻检测单元两两间隔设置于所述反铁磁层上。

4.根据权利要求2所述的周期信号探测装置,其特征在于,所述顶部金属层为铂金属或铁锰材料。

5.根据权利要求1所述的周期信号探测装置,其特征在于,还包括辅助层,所述辅助层与反铁磁层第二面接触,所述反铁磁层第二面与反铁磁层第一面相邻,用于使所述反铁磁层产生所述磁结构。

6.根据权利要求5所述的周期信号探测装置,其特征在于,所述辅助层为铁磁材料。

7.根据权利要求5所述的周期信号探测装置,其特征在于,所述辅助层和反铁磁层第二面的接触面积与所述反铁磁层第二面的面积相等。

8.根据权利要求1所述的周期信号探测装置,其特征在于,所述信号注入层为重金属材料。

9.根据权利要求1所述的周期信号探测装置,其特征在于,所述反铁磁层用于在所述待测信号和参考信号注入前,通过施加的磁场形成磁畴壁。

10.一种周期信号的探测方法,其特征在于,使用如权利要求1-9中任一项所述的周期信号探测装置进行探测,所述方法包括:

对所述反铁磁层施加磁场;

撤除所述磁场后向所述信号注入层注入待测信号和参考信号;

通过所述磁电阻检测层和反铁磁层得到磁电阻信号;

根据所述磁电阻信号得到所述待测信号中的周期信号的信息。

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