[发明专利]一种有机铵盐p型掺杂剂

权利要求书

1.一种有机铵盐p型掺杂剂在有机半导体光电器件中的应用，其特征在于，所述p型掺杂剂为有机铵盐，所述有机铵盐具有如式(a)或(b)的结构：

其中，R1，R2，R3，R4，R5，R6，R7各自独立为H、羟基、羧基、取代的或未取代的烷基、环烷基、杂环烷基、杂环亚烷基、酮烷基、烷氧基、烯基、酮烯基、炔基、芳基、亚芳基、杂芳基、杂亚芳基、酮芳基、酮基杂芳基、卤代烷基、卤代酮烷基、卤代烯基、卤代酮烯基、卤代炔基、卤代芳基、卤代杂芳基，其中一个或者多个不相邻的CH2可以独立的被–O–，OH–，–S–，–NH–，–CO–，–COO–，–COOH–，–OCO–，–OCO–O–，–SO2–，–S–CO–，–CO–S–，–CH＝CH–，–C≡C–所取代，或者被芳基或者杂芳基所取代；Y独立为F，Cl，Br或I；

所述有机铵盐p型掺杂剂与受体材料直接混合或者将受体材料暴露在所述有机铵盐p型掺杂剂的蒸汽中，从而对受体材料实现p掺杂，并将p掺杂后的受体材料应用于有机发光二极管、有机场效应晶体管、有机太阳能电池或钙钛矿太阳能电池。

2.如权利要求1所述的有机铵盐p型掺杂剂在有机半导体光电器件中的应用，其特征在于，所述p型掺杂剂为一种或多种有机铵盐的混合物，或者一种或多种有机铵盐作为有效成分的混合物。

3.如权利要求1所述的有机铵盐p型掺杂剂在有机半导体光电器件中的应用，其特征在于，所述受体材料为p型或双极型有机半导体。

4.如权利要求1所述的有机铵盐p型掺杂剂在有机半导体光电器件中的应用，其特征在于，所述钙钛矿太阳能电池的器件结构为：ITO导电玻璃作为电池负极，SnO₂作为电池电子传输层，MAPbI₃为钙钛矿吸光层，所述有机铵盐p型掺杂剂对受体材料进行p掺杂后作为电池空穴传输层，金属Ag作为电池正极。

5.如权利要求1所述的有机铵盐p型掺杂剂在有机半导体光电器件中的应用，其特征在于，所述有机场效应晶体管的器件结构为：(1)底栅顶接触：Si作为栅极，SiO₂为绝缘层，所述有机铵盐p型掺杂剂对受体材料进行p掺杂后作为p型半导体层，Au作为源漏极；(2)底栅底接触：Si作为栅极，SiO₂为绝缘层，Au作为源漏极或Cr，Ni，Ti等作为黏附层的Au电极作为源漏极,所述有机铵盐p型掺杂剂对受体材料进行p掺杂后作为p型半导体层；(3)顶栅顶接触：玻璃，聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚酰亚胺作为衬底；所述有机铵盐p型掺杂剂对受体材料进行p掺杂后作为p型半导体层；Au作为源漏极；全氟树脂，聚甲基丙烯酸甲酯或聚苯乙烯作为介电层；Au或Al作为栅极；(4)顶栅底接触：玻璃，聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚酰亚胺作为衬底；Au作为源漏极；所述有机铵盐p型掺杂剂对受体材料进行p掺杂后作为p型半导体层，全氟树脂，聚甲基丙烯酸甲酯或聚苯乙烯作为介电层；Au或Al作为栅极。