[发明专利]一种高电源抑制比快速瞬态的线性稳压器电路

权利要求书

1.一种高电源抑制比快速瞬态的线性稳压器电路，其特征在于，包括差分运算放大器(1)、嵌套式倒置型电压跟随电路模块(2)和电流自适应偏置电路模块(3)；其中：

所述差分运算放大器(1)与所述嵌套式倒置型电压跟随电路模块(2)电性连接；

所述电流自适应偏置电路模块(3)与所述差分运算放大器(1)及所述嵌套式倒置型电压跟随电路模块(2)电性连接；

所述差分运算放大器(1)用于增大线性稳压器环路增益提高输出电压的精度；

所述嵌套式倒置型电压跟随电路模块(2)用于作为线性稳压器的输出级，并提供带负载能力；并与所述的差分运算放大器(1)相连接；

所述差分运算放大器(1)进一步改善线性稳压器性能；

其中，所述嵌套式倒置型电压跟随电路模块(2)包括输出级电压跟随电路和嵌套级电压跟随电路；其中：

所述嵌套级电压跟随电路输入端与所述电流自适应偏置电路模块(3)电性连接；

所述嵌套级电压跟随电路与所述输出级电压跟随电路电性连接，作为输出级电压跟随电路的内部环路的其中一部分；

所述输出级电压跟随电路输出端与所述差分运算放大器(1)反相输入端电性连接，同时作为线性稳压器的输出端；

所述嵌套级电压跟随电路包括PMOS管M2、M1和NMOS管MB4；所述输出级电压跟随电路包括PMOS管MP、M11和NMOS管MB5；其中：

所述M2源极、MP源极与电源V_DD电性连接；

所述M2栅极与所述M1漏极、MB4源极电性连接；

所述M2漏极与所述M1源极、MP栅极电性连接；

所述MP漏极与所述M11源极电性连接，此连接点作为线性稳压器输出端与所述差分运算放大器(1)反相输入端电性连接；

所述M11栅极与所述差分运算放大器(1)输出端电性连接；

所述M1栅极与所述电流自适应偏置电路模块(3)输入端、M11漏极、MB5源极电性连接；

所述MB4栅极、MB5栅极与所述电流自适应偏置电路模块(3)输入端电性连接；同时，MB4栅极、MB5栅极与所述差分运算放大器(1)输入端电性连接；

所述MB4漏极、MB5漏极接地；

所述NMOS管MB4、NMOS管MB5以电流镜结构相连，由所述电流自适应偏置电路模块(3)提供偏置。

2.根据权利要求1所述的一种高电源抑制比快速瞬态的线性稳压器电路，其特征在于，所述输出级电压跟随电路和嵌套级电压跟随电路均为倒置型电压跟随电路，并通过嵌套形式构成所述嵌套式倒置型电压跟随电路模块(2)。

3.根据权利要求1所述的一种高电源抑制比快速瞬态的线性稳压器电路，其特征在于，所述电流自适应偏置电路模块(3)包括PMOS管MB1、MB3和NMOS管MB2和电容C_B；其中：

所述MB1源极与电源V_DD电性连接；

所述MB1栅极与所述嵌套式倒置型电压跟随电路模块(2)输入端电性连接；

所述MB1漏极与所述MB2源极、MB3栅极、MB3源极、MB2栅极电性连接；

所述MB3漏极与所述差分运算放大器(1)输入端、所述电流自适应偏置电路模块(3)输入端电性连接；

所述电容C_B一端与所述MB3漏极电性连接，另一端接地；

所述MB2漏极接地。

4.根据权利要求1所述的一种高电源抑制比快速瞬态的线性稳压器电路，其特征在于，所述电流自适应偏置电路模块(3)包括PMOS管MB1、MB3和NMOS管MB2和电容C_B；其中：

所述MB1源极与电源V_DD电性连接；

所述MB1栅极与所述M1栅极电性连接；

所述MB1漏极与所述MB2源极、MB3栅极、MB3源极、MB2栅极电性连接；

所述MB3漏极与所述差分运算放大器(1)输入端、所述MB4栅极、MB5栅极电性连接；

所述电容C_B一端与所述MB3漏极电性连接，另一端接地；

所述MB2漏极接地。