[发明专利]叠层结构体以及包括其的半导体器件、半导体设备和电子设备、和制造叠层结构体的方法在审
| 申请号： | 202110022063.7 | 申请日： | 2021-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN113745327A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 许镇盛;文泰欢;南胜杰;赵常玹 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L21/28;H01L21/44;H01L29/78;H01L49/02;H01L51/05;H01L51/10;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王华芹;金拟粲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 结构 以及 包括 半导体器件 半导体设备 电子设备 制造 方法 | ||
1.叠层结构体，包括：
基底；和
在所述基底上的薄膜结构体，所述薄膜结构体包括
平行于所述基底的第一反铁电层，
平行于所述基底的第二反铁电层，以及
平行于所述基底的铁电层，所述铁电层在所述第一反铁电层和所述第二反铁电层之间。
2.如权利要求1所述的叠层结构体，其中所述第一反铁电层和所述第二反铁电层的至少一个覆盖所述铁电层的表面的80％或更多。
3.如权利要求1所述的叠层结构体，其中所述第一反铁电层和所述第二反铁电层的至少一个与所述铁电层直接接触。
4.如权利要求1所述的叠层结构体，其中所述铁电层、所述第一反铁电层、和所述第二反铁电层的至少一个独立地包括氧化铪(HfO2)、氧化锆(ZrO2)、和其中0x1的铪-锆氧化物HfxZr1-xO2的至少一种。
5.如权利要求4所述的叠层结构体，其中所述铁电层包括由其中0.2≤x1的HfxZr1-xO2表示的铪-锆氧化物。
6.如权利要求4所述的叠层结构体，其中所述第一反铁电层和所述第二反铁电层各自独立地包括氧化锆和由其中0x0.2的HfxZr1-xO2表示的铪-锆氧化物的至少一种。
7.如权利要求4所述的叠层结构体，其中所述铁电层的铪元素含量大于所述第一反铁电层和所述第二反铁电层的一个或多个的铪元素含量。
8.如权利要求4所述的叠层结构体，其中所述第一反铁电层和所述第二反铁电层的至少一个的铪元素相对于所述铁电层的铪元素的摩尔比在0至0.8的范围内。
9.如权利要求4所述的叠层结构体，其中所述铁电层的锆元素含量小于所述第一反铁电层和所述第二反铁电层的一个或多个的锆元素含量。
10.如权利要求4所述的叠层结构体，其中所述铁电层的锆元素相对于所述第一反铁电层和所述第二反铁电层的至少一个的锆元素的摩尔比在0至1的范围内。
11.如权利要求4所述的堆结构体，其中所述铁电层、所述第一反铁电层和所述第二反铁电层的至少一个包括一种或多种掺杂剂材料，所述掺杂剂材料包括C、Si、Ge、Sn、Pb、Al、Y、La、Gd、Mg、Ca、Sr、Ba、Ti、Zr、和Hf的至少一种。
12.如权利要求11所述的叠层结构体，其中所述铁电层中的掺杂剂材料的含量小于所述第一反铁电层和所述第二反铁电层的至少一个中的掺杂剂材料的含量。
13.如权利要求11所述的叠层结构体，其中所述铁电层具有与基体材料的金属元素相比在0原子％至10原子％的范围内的掺杂剂材料的含量。
14.如权利要求11所述的叠层结构体，其中所述第一反铁电层和所述第二反铁电层各自独立地具有与基体材料的金属元素相比在4原子％至20原子％的范围内的掺杂剂材料的含量。
15.如权利要求1所述的叠层结构体，其中所述铁电层具有斜方晶体结构，和
其中所述第一反铁电层和所述第二反铁电层具有四方晶体结构。
16.如权利要求1所述的叠层结构体，其中所述第一反铁电层、所述铁电层、和所述第二反铁电层各自的厚度独立地在0.1nm至10nm的范围内。
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