[发明专利]一种半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括：

提供包括源/漏区和栅极堆叠的衬底；

在源/漏区表面形成光吸收层；

采用激光加热对形成有光吸收层的所述源/漏区进行非晶化注入处理，激光的能量为100mJ/cm²～10J/cm²；

去除所述光吸收层以露出非晶化注入处理的所述源/漏区表面；

在露出的非晶化注入处理的所述源/漏区表面形成掺杂膜层；

对形成有掺杂膜层的所述源/漏区表面进行退火处理。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：

所述光吸收层为SiN薄膜、SiO₂薄膜或者SiON薄膜或其任意的组合。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：

所述光吸收层的厚度为

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：

所述掺杂膜层为掺杂有氧化硼或氧化磷的氧化硅薄膜。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：

所述退火处理采用低功率激光退火，或者包含低功率激光退火的组合退火。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：还包括，

去除所述掺杂膜层；

在所述源/漏区表面形成金属层；

对形成有金属层的所述源/漏区表面进行二次退火处理。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于：

所述金属层为Ti、Co、Ni或NiPt的金属或其合金薄膜。

8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：

在所述非晶化注入处理之前，还包括在所述栅极堆叠表面形成光反射层。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于：

所述光反射层为金属薄膜，SiN薄膜或者SiON薄膜的一种或者两种以上的组合。

10.根据权利要求1-9任意一项所述的制造方法，其特征在于：

所述激光的激光采用808nm/532/355nm/308nm/248nm的脉冲激光器，脉宽1ns-1us、频率1～100kHz。