[发明专利]一种光电转换装置在审
| 申请号： | 202110022987.7 | 申请日： | 2021-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN112885912A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 尤小月 | 申请（专利权）人： | 尤小月 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 苏州铭浩知识产权代理事务所(普通合伙) 32246 | 代理人： | 潘志渊 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 光电 转换 装置 | ||
1.一种光电转换装置，其特征在于，包括：
P-型半导体衬底；
N-型光电二极管掺杂区，设置于所述P-型半导体衬底中，P+型空穴累积区设置在所述N-型光电二极管掺杂区和所述P-型半导体衬底的上表面之间；
N型电荷保持区，设置于所述P-型半导体衬底中，P型电荷阻挡区设置在所述N型电荷保持区和所述P-型半导体衬底的上表面之间；
位于所述P型电荷阻挡区上方的栅极绝缘层，以及位于所述栅极绝缘层上方的传输栅电极、倍增栅电极、读取栅电极；
复位栅电极结构，设置于所述P-型半导体衬底中，包括复位栅电极和复位栅电极绝缘层；
悬浮掺杂区，设置于所述P-型半导体衬底中，包括N+型子悬浮掺杂区和N-型子悬浮掺杂区，所述N+型子悬浮掺杂区包围所述N-型子悬浮掺杂区；
N+型复位漏极区，设置于所述P-型半导体衬底中；
所述N+型复位漏极区和所述N型电荷保持区分别位于所述复位栅电极结构的两侧，所述悬浮掺杂区位于所述复位栅电极结构的下方，所述悬浮掺杂区和所述N-型光电二极管掺杂区分别位于所述N型电荷保持区的两侧。
2.根据权利要求1所述的光电转换装置，其特征在于，所述N+型子悬浮掺杂区和所述N-型子悬浮掺杂区为磷杂质掺杂，所述N+型子悬浮掺杂区的杂质浓度为5.0×1017cm-3，所述N-型子悬浮掺杂区的杂质浓度为5.0×1016cm-3。
3.根据权利要求1所述的光电转换装置，其特征在于，所述N+型复位漏极区电连接电源线。
4.根据权利要求1所述的光电转换装置，其特征在于，所述N-型光电二极管掺杂区、所述N型电荷保持区、所述悬浮掺杂区、所述N+型复位漏极区彼此相互分立。
5.根据权利要求1所述的光电转换装置，其特征在于，所述复位栅电极结构的深度大于所述N+型复位漏极区的深度。
6.根据权利要求1所述的光电转换装置，其特征在于，所述复位栅电极绝缘层包围所述复位栅电极的底部和侧壁。
7.一种固态成像装置，包括如权利要求1-6所述的光电转换装置。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
