[发明专利]新型等离子体增强化气相沉积氧化物高阻隔膜放电结构

权利要求书

1.一种新型等离子体增强化气相沉积氧化物高阻隔膜放电结构，其包括中频电源和放电电极，其特征在于：所述放电电极为固定不可旋转设置，所述中频电源与放电电极相连接，所述放电电极内固定设有能将等离子体约束在其附近的永磁体，使放电电极附近区域形成高密度等离子体区域；被镀基膜经过所述高密度等离子体区域，且与所述放电电极之间具有间距。

2.根据权利要求1所述的新型等离子体增强化气相沉积氧化物高阻隔膜放电结构，其特征在于，所述被镀基膜与放电电极之间的间距为1.0mm～1.5mm。

3.根据权利要求1所述的新型等离子体增强化气相沉积氧化物高阻隔膜放电结构，其特征在于，所述永磁体的数量为若干，均匀分布固定在所述放电电极内。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的新型等离子体增强化气相沉积氧化物高阻隔膜放电结构，其特征在于，所述放电电极的侧方位置设有能调整所述被镀基膜与其之间间距的导向轴。

5.根据权利要求1-3任意一项所述的新型等离子体增强化气相沉积氧化物高阻隔膜放电结构，其特征在于，其还包括牵引所述被镀基膜经过所述高密度等离子体区域的主动轮。

6.根据权利要求1所述的新型等离子体增强化气相沉积氧化物高阻隔膜放电结构，其特征在于，所述被镀基膜是连续、匀速经过所述高密度等离子体区域。