[发明专利]一种用于图像传感器的形成方法及图像传感器

权利要求书

1.一种用于图像传感器的形成方法，其特征在于，至少包括：

提供单晶硅衬底；

于所述单晶硅衬底上形成第一凹槽；

以单晶硅作为阻挡，对所述单晶硅衬底进行离子注入，于所述第一凹槽下方的单晶硅衬底中形成第一离子掺杂区域。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，还包括：

通过化学机械研磨，平坦化所述单晶硅衬底。

3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一凹槽包括沟槽、孔洞。

4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，还包括：

铺设介质层，以填充所述第一凹槽；

刻蚀部分所述单晶硅，形成第二凹槽；

以所述介质层和/或至少部分单晶硅为阻挡，对所述单晶硅衬底进行离子注入，于所述第二凹槽下方的单晶硅衬底中形成第二离子掺杂区域；

通过化学机械研磨，去除所述介质层和/或至少部分单晶硅，使所述单晶硅衬底减薄至某一厚度。

5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一凹槽的深度为不小于2微米。

6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述于所述单晶硅衬底上形成第一凹槽包括：

于所述单晶硅衬底上形成硬掩膜或光刻胶；

去除部分所述硬掩膜或光刻胶形成凹槽，以暴露出所述单晶硅衬底；

以所述硬掩膜或光刻胶为阻挡，刻蚀所述单晶硅衬底，形成所述第一凹槽。

7.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，在经过所述化学机械研磨后，还包括：

于所述单晶硅衬底上形成多个晶体管；

于所述单晶硅衬底上形成多层金属互联层。

8.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，

所述离子掺杂区域为电荷收集区或隔离区。

9.一种图像传感器，其特征在于，通过如权利要求1至8中任一项所述的形成方法形成。