[发明专利]一种轻量化刚玉-碳化硅耐火材料及其制备方法有效
申请号: | 202110023625.X | 申请日: | 2021-01-08 |
公开(公告)号: | CN112811927B | 公开(公告)日: | 2022-07-05 |
发明(设计)人: | 鄢文;陈哲;陈俊峰;韩兵强;魏耀武;李楠 | 申请(专利权)人: | 武汉科技大学 |
主分类号: | C04B38/08 | 分类号: | C04B38/08;C04B35/66;C04B35/101;C04B35/622;C04B38/00;C04B35/80 |
代理公司: | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人: | 张火春 |
地址: | 430081 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 量化 刚玉 碳化硅 耐火材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种轻量化刚玉-碳化硅耐火材料的制备方法,其特征在于所述制备方法的步骤是:
步骤1、改性多孔刚玉陶瓷颗粒和改性多孔刚玉陶瓷细粉的制备
步骤1.1、将氢氧化铝细粉置于高温炉内,以1~3℃/min的速率升温至310~400℃,保温4~6h,自然冷却,得到孔隙率高的氧化铝粉体;
步骤1.2、按所述孔隙率高的氧化铝粉体∶轻烧菱镁矿微粉∶水的质量比为100∶(1.4~1.9)∶(2~4),将所述孔隙率高的氧化铝粉体和所述轻烧菱镁矿微粉置于搅拌机中,加入所述水混合,搅拌15~23min,得到混合料;
步骤1.3、将所述混合料在150~200MPa条件下机压成型,再将成型后的坯体于110~160℃条件下干燥18~32h;然后将干燥后的坯体置于高温炉内,以3~5℃/min的速率升温至1650~1750℃,保温4~9h,自然冷却,得到以刚玉为主晶相的多孔刚玉陶瓷材料;
所述以刚玉为主晶相的多孔刚玉陶瓷材料:耐压强度为96~217MPa;显气孔率为22~38%;体积密度为2.41~3.04g/cm3;平均孔径为500nm~1.5μm,孔径分布为双孔峰,小孔峰为300~800nm,大孔峰为1.0~2.5μm;
步骤1.4、按所述以刚玉为主晶相的多孔刚玉陶瓷材料∶改性溶液的质量比为100∶40~45,将所述以刚玉为主晶相的多孔刚玉陶瓷材料置于真空装置中,抽真空至1.9~2.5kPa,再加入所述改性溶液,静置30~50min,关闭抽真空系统,在120~160℃条件下干燥24~32h,得到改性多孔刚玉陶瓷材料;
所述改性溶液的制备方法是:按去离子水∶催化剂的质量比为100∶2.6~4.1,将所述去离子水和所述催化剂混合,搅拌均匀,得到改性溶液;
步骤1.5、将所述改性多孔刚玉陶瓷材料破粉碎,筛分,分别得到改性多孔刚玉陶瓷颗粒I、改性多孔刚玉陶瓷颗粒II和改性多孔刚玉陶瓷细粉;
所述改性多孔刚玉陶瓷颗粒I的粒径小于3.2mm且大于等于1.3mm,所述改性多孔刚玉陶瓷颗粒II的粒径小于1.3mm且大于等于0.6mm,所述改性多孔刚玉陶瓷细粉的粒径小于0.088mm;
步骤2、轻量化刚玉-碳化硅耐火材料的制备
以25~32wt%的改性多孔刚玉陶瓷颗粒I和23~30wt%的改性多孔刚玉陶瓷颗粒II为骨料,以18~28wt%的改性多孔刚玉陶瓷细粉、13~20wt%的碳化硅细粉和3~5wt%的单质Si粉为基质;先将所述骨料置于搅拌机中,加入占所述骨料和所述基质之和4~7wt%的改性液态热固性酚醛树脂,混合,再加入所述基质,搅拌均匀,在150~200MPa条件下机压成型,在200~250℃条件下热处理24~48小时,然后在1190~1420℃和埋碳条件下保温4~10小时,自然冷却,制得轻量化刚玉-碳化硅耐火材料;
所述改性液态热固性酚醛树脂的制备方法是:按液态热固性酚醛树脂∶六水硝酸镍的质量比为100∶7~12,将所述液态热固性酚醛树脂和所述六水硝酸镍混合,搅拌均匀,得到改性液态热固性酚醛树脂;
所述催化剂为九水硝酸铁、六水硝酸钴中的一种或两种;其中:所述九水硝酸铁的Fe(NO3)3·9H2O含量大于98wt%,所述六水硝酸钴的Co(NO3)2·6H2O含量大于98wt%。
2.根据权利要求1所述的轻量化刚玉-碳化硅耐火材料的制备方法,其特征在于所述氢氧化铝细粉的粒径<44μm;所述氢氧化铝细粉的Al2O3含量为64~66wt%。
3.根据权利要求1所述的轻量化刚玉-碳化硅耐火材料的制备方法,其特征在于所述轻烧菱镁矿微粉的粒径<2μm;所述轻烧菱镁矿微粉的MgO含量>96wt%。
4.根据权利要求1所述的轻量化刚玉-碳化硅耐火材料的制备方法,其特征在于所述碳化硅细粉的粒径<88μm;所述碳化硅细粉的SiC含量>97wt%。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉科技大学,未经武汉科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110023625.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。