[发明专利]一种大尺寸硅片研磨工艺在审
| 申请号： | 202110024202.X | 申请日： | 2021-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN113001392A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 裴坤羽;祝斌;刘姣龙;袁祥龙;武卫;刘建伟;刘园;由佰玲;吕莹;徐荣清;常雪岩;张宏杰;刘秒;杨春雪;谢艳;孙晨光;王彦君 | 申请（专利权）人： | 天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;B24B37/08;H01L21/02 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300384 天津市滨海*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 硅片 研磨 工艺 | ||
1.一种大尺寸硅片研磨工艺，包括：
将硅片放入游星盘中，加入研磨液；
上磨盘和下磨盘开始研磨所述硅片，上磨盘气缸的压力为轻压范围，所述轻压范围为0N＜轻压值≤3000N，所述上磨盘和所述下磨盘以一定转速进行研磨；
将所述上磨盘气缸的压力由所述轻压范围调整至中压范围，所述中压范围为3000N＜中压值≤6000N，所述上磨盘和所述下磨盘转速不变，进行研磨；
将所述上磨盘气缸的压力由所述中压范围调整至高压范围，所述高压范围为6000N＜高压值≤9000N，所述上磨盘和所述下磨盘转速不变，进行研磨。
2.根据权利要求1所述的一种大尺寸硅片研磨工艺，其特征在于：将所述研磨液的流速为2-4L/min。
3.根据权利要求1所述的一种大尺寸硅片研磨工艺，其特征在于：将所述上磨盘的气缸压力为轻压范围时，所述上磨盘转速为5-35rpm，所述下磨盘的转速为15-50rpm。
4.根据权利要求3所述的一种大尺寸硅片研磨工艺，其特征在于：所述上磨盘气缸的压力为1500N，所述上磨盘转速为15rpm，所述下磨盘转速为25rpm。
5.根据权利要求1所述的一种大尺寸硅片研磨工艺，其特征在于：将所述上磨盘气缸的压力为中压范围时，所述上磨盘转速为5-35rpm，所述下磨盘的转速为15-50rpm。
6.根据权利要求5所述的一种大尺寸硅片研磨工艺，其特征在于：所述上磨盘气缸的压力调整至4500N，所述上磨盘转速为15rpm，所述下磨盘转速为25rpm。
7.根据权利要求1所述的一种大尺寸硅片研磨工艺，其特征在于：所述上磨盘气缸的压力为高压范围时，所述上磨盘转速为5-35rpm，所述下磨盘的转速为15-50rpm。
8.根据权利要求7所述的一种大尺寸硅片研磨工艺，其特征在于：所述上磨盘气缸的压力调整至7500N，所述上磨盘转速为15rpm，所述下磨盘转速为25rpm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司，未经天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110024202.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
