[发明专利]触控显示面板及显示装置有效
申请号: | 202110025063.2 | 申请日: | 2021-01-08 |
公开(公告)号: | CN112864199B | 公开(公告)日: | 2022-12-06 |
发明(设计)人: | 叶剑 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G06F3/041 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 吕姝娟 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
本申请提供一种触控显示面板及显示装置,该触控显示面板包括触控层和位于所述触控层一侧的驱动芯片,触控层包括多条触控信号线和多个触控电极,通过将触控信号线与触控电极设置于不同膜层,以此防止触控信号线占据触控电极的面积,从而避免形成触控盲区,每条触控信号线包括有效线段和延伸线段,延伸线段包括至少一条浮置线段,延伸线段自身的电阻可以减小不同位置触控电极对应的阻容负载的差异,浮置线段中没有接入电信号,使得浮置线段不会和与对应的触控电极同列并位于该触控电极之后的其他触控电极产生寄生电容,以此可以降低触控信号线与触控电极之间的寄生电容,从而提高触控层触控扫描率,并改善触控显示面板的触控灵敏度和精准度。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种触控显示面板及显示装置。
背景技术
有机发光二极管(organic light emitting diode,OLED)显示面板具有主动发光、可视角度大、色域高、相应速度快、功耗低以及可弯曲等优点,越来越受到市场的欢迎,并逐渐取代液晶显示面板(liquidcrystaldisplay,LCD)成为主流显示技术。目前有机发光二极管显示面板采用的触控方案均为互电容触控结构,包括触控驱动电极和触控感应电极,由于互电容触控结构存在信号量较小以及触控驱动电极和触控感应电极的阻容负载较大的问题,会导致有机发光二极管显示面板的触控灵敏度降低。
针对互电容触控结构存在的上述问题,可以采用自电容触控结构进行解决。相较于互电容触控结构,自电容触控结构的信号量较大,受噪声的影响较小,且自电容结构中每个独立的触控电极单独通过触控信号线引出,使得触控电极的阻容负载较小,因此可以有效提高显示面板的触控灵敏度。目前自电容触控结构通常采用单层自电容触控结构,单层自电容触控结构的触控电极与触控信号线设置于同一层,且共同位于显示面板的显示区内,由于连接触控电极的触控信号线会占据显示区内的部分面积,使得该部分面积形成触控盲区,从而导致显示面板的触控灵敏度和精准度降低。
综上所述,现有显示面板存在触控灵敏度和精准度较低的问题。故,有必要提供一种触控显示面板及显示装置来改善这一缺陷。
发明内容
本申请实施例提供一种触控显示面板及显示装置,用于解决现有显示面板存在的触控灵敏度和精确度较低的问题。
本申请实施例提供一种触控显示面板,包括触控层和位于所述触控层一侧的驱动芯片,所述触控层包括多条间隔排布的触控信号线和阵列排布并相互绝缘的多个触控电极,所述触控信号线与所述触控电极设置于不同膜层;
其中,每条所述触控信号线包括有效线段和延伸线段,所述有效线段从所述驱动芯片引出并连接至对应的所述触控电极,所述延伸线段包括至少一浮置线段,所述至少一浮置线段和与对应的所述触控电极同列并位于该触控电极之后的其他触控电极一一对应并重叠。
根据本申请一实施例,所述触控电极和与其相互绝缘的触控信号线重叠的区域设有镂空部。
根据本申请一实施例,所述镂空部内设有浮置电极,所述浮置电极与所述触控电极位于同一层,并与所述触控电极相互绝缘设置。
根据本申请一实施例,所述浮置电极为网格状。
根据本申请一实施例,所述触控层包括多个第一过孔,每条所述触控信号线通过至少一个所述第一过孔与对应的所述触控电极连接。
根据本申请一实施例,所述触控层包括多个第二过孔,所述浮置线段和与其重叠的所述触控电极通过至少一个所述第二过孔连接。
根据本申请一实施例,每个所述触控电极与每条所述触控信号线重叠的区域所包括的所述第一过孔或所述第二过孔的数量和密度相同。
根据本申请一实施例,所述触控显示面板还包括显示层,所述触控层与所述显示层共用一所述驱动芯片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的