[发明专利]碳化硅晶须增强的多孔氧化镁-碳陶瓷过滤器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202110025203.6 申请日: 2021-01-08
公开(公告)号: CN112876268B 公开(公告)日: 2022-09-13
发明(设计)人: 鄢文;彭望定;鄢俊杰;陈哲;梁雄;李光强 申请(专利权)人: 武汉科技大学
主分类号: C04B35/80 分类号: C04B35/80;C04B38/06;C04B35/04;C04B35/622;C04B35/66;B01D39/20
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人: 张火春
地址: 430081 湖北*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 碳化硅 增强 多孔 氧化镁 陶瓷 过滤器 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种碳化硅晶须增强的多孔氧化镁-碳陶瓷过滤器的制备方法,其特征在于所述制备方法的步骤是:

步骤1、多孔氧化镁颗粒的制备

步骤1.1、将菱镁矿颗粒置入中温炉,先以2~6℃/min的速率升温至650~800℃,保温2.5~4.5h;再以2.2~4.6℃/min的速率升温至1150~1350℃,保温2~7h,冷却,得到多孔氧化镁团聚体;

步骤1.2、按所述多孔氧化镁团聚体∶铝溶胶的质量比为100∶(24~32),先将所述多孔氧化镁团聚体置入真空搅拌机中,抽真空至2~3kPa,再加入所述铝溶胶,搅拌15~30min,关闭真空系统,得到混合料;

步骤1.3、将所述混合料在110~120℃条件下干燥18~36h,然后置入高温炉内,以3~5℃/min的速率升温至1650~1750℃,保温3~7h,冷却,得到多孔氧化镁颗粒;

步骤2、改性多孔镁质细粉的制备

步骤2.1、按去离子水∶催化剂的质量比为100∶(1.5~5.5),将所述去离子水和所述催化剂置于搅拌机中,搅拌5~10min,得到改性溶液;

步骤2.2、按所述多孔氧化镁颗粒∶所述改性溶液的质量比为100∶(38~43),将所述多孔氧化镁颗粒置入真空装置中,抽真空至1.9~2.1kPa,再加入所述改性溶液,静置15~30min,关闭抽真空系统,在110~150℃条件干燥24~36h,得到改性多孔镁质颗粒;

步骤2.3、将所述改性多孔镁质颗粒粉碎,筛分,得到粒径小于30μm的改性多孔镁质细粉;

所述改性多孔镁质细粉:气孔平均孔径为500nm~1.6μm,孔隙率为20~38%,表面具有贯通状孔结构,内部气孔附着催化剂;

步骤3、预处理聚氨酯泡沫的制备

将聚氨酯泡沫浸泡在NaOH溶液中2~4h,取出后用去离子水洗涤3~6次,晾干,得到预处理聚氨酯泡沫;

步骤4、碳化硅晶须增强氧化镁-碳多孔陶瓷过滤器的制备

以90~95wt%的所述改性多孔镁质细粉、2~6wt%的改性煤焦油沥青粉、1~2wt%的单质硅粉和0.5~2.5wt%的羧甲基纤维素钠为原料,将所述原料在混料机中混合2~4h,再加入所述原料0.035~0.15wt%的减水剂、0.24~1.3wt%的消泡剂、2~12wt%的铝溶胶和20~28wt%的去离子水,搅拌3~7h,得到具有触变性的陶瓷浆体;

将所述预处理聚氨酯泡沫浸入所述具有触变性的陶瓷浆体中,浸渍5~10min,取出后用对辊机去除多余的具有触变性的陶瓷浆体,在室温条件下养护9~25h,在50~110℃条件下干燥10~25h;在埋碳条件下,以0.5~2℃/min的速率升温至1150~1250℃,保温2.5~6.5h,冷却,得到多孔氧化镁-碳陶瓷过滤器预烧体;

将所述多孔氧化镁-碳陶瓷过滤器预烧体浸渍于所述具有触变性的陶瓷浆体中,然后置于真空环境中,抽真空至1.9~2.1kPa,静置10~20min;取出后在离心机中以180~400r/min的转速处理3~5min,得到二次挂浆多孔氧化镁-碳陶瓷过滤器坯体;将所述二次挂浆多孔氧化镁-碳陶瓷过滤器坯体自然干燥24~36h,再于50~110℃条件下干燥10~25h,在埋碳条件下,以3~5℃/min升温至1400~1500℃,保温2~6h,冷却,制得碳化硅晶须增强的多孔氧化镁-碳陶瓷过滤器;

步骤1.2与步骤4所述铝溶胶相同,所述铝溶胶的Al2O3含量为20~45wt%;

所述催化剂为九水硝酸铁、六水硝酸钴和六水硝酸镍的一种;所述九水硝酸铁中Fe(NO3)3 ·9H2O含量大于98wt%,所述六水硝酸钴中Co(NO3)2·6H2O含量大于98wt%,所述六水硝酸镍中Ni(NO3)2·6H2O含量大于98wt%。

2.根据权利要求1所述的碳化硅晶须增强的多孔氧化镁-碳陶瓷过滤器的制备方法,其特征在于所述菱镁矿颗粒的MgO含量≥46wt%;所述菱镁矿颗粒的粒径为1~3mm。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉科技大学,未经武汉科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110025203.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top