[发明专利]基于碳化硅平面型MOS结构的肖特基二极管有效
| 申请号： | 202110025615.X | 申请日： | 2021-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN112838131B | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 夏华忠;黄传伟;李健;诸建周;吕文生;谈益民 | 申请（专利权）人： | 江苏东海半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京盛询知识产权代理有限公司 11901 | 代理人： | 郭成文 |
| 地址： | 214142 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 碳化硅 平面 mos 结构 肖特基 二极管 | ||
1.一种基于碳化硅平面型MOS结构的肖特基二极管，其特征是：在所述肖特基二极管的截面上，包括半导体衬底(1)以及设置于所述半导体衬底(1)上的P型阱区(2)，在所述P型阱区(2)的一侧设置负极区结构，在所述P型阱区(2)的另一侧设置正极区结构，且P型阱区(2)与位于所述P型阱区(2)上的栅结构区接触，在所述栅结构区上设置栅极金属层(9)，所述栅极金属层(9)与栅结构区欧姆接触；
所述负极区结构包括与P型阱区(2)接触的N型轻掺杂负极区(3)、位于所述N型轻掺杂负极区(3)内的N型重掺杂负极区(4)以及位于所述N型重掺杂负极区(4)正上方的负极金属层(10)，所述负极金属层(10)与N型重掺杂负极区(4)欧姆接触；
所述正极区结构包括与P型阱区(2)的N型轻掺杂正极区(5)、位于所述N型轻掺杂正极区(5)内的正极金属区(6)以及位于正极金属区(6)上方的正极金属层(8)，所述正极金属层(8)与正极金属区(6)电连接。
2.根据权利要求1所述的基于碳化硅平面型MOS结构的肖特基二极管，其特征是：所述栅结构区包括多晶硅层(11)以及位于所述多晶硅层(11)下方的高介电常数绝缘层(7)，所述多晶硅层(11)与栅极金属层(9)欧姆接触。
3.根据权利要求1所述的基于碳化硅平面型MOS结构的肖特基二极管，其特征是：所述半导体衬底(1)包括SiC衬底。
4.根据权利要求1所述的基于碳化硅平面型MOS结构的肖特基二极管，其特征是：所述负极金属层(10)与栅极金属层(9)为同一工艺层，负极金属层(10)、栅极金属层(9)包括铜或铝。
5.根据权利要求1所述的基于碳化硅平面型MOS结构的肖特基二极管，其特征是：所述正极金属层(8)、栅极金属层(9)为同一工艺层，正极金属层(8)、栅极金属层(9)包括铜或铝。
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