[发明专利]半导体封装

权利要求书

1.一种半导体封装，其特征在于，包括：

基板部件，包括第一表面、与该第一表面相对的第二表面以及在该第一表面和该第二表面之间延伸的侧壁表面；

重分布层结构，设置在该第一表面上并通过第一连接元件电连接至该第一表面；

球栅阵列球，安装在该基板部件的该第二表面上；以及

至少一个集成电路晶粒，通过第二连接元件安装在该重分布层结构上。

2.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，没有密封剂覆盖该基板部件的该第一表面、该第二表面和该侧壁表面。

3.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，在该重分布层结构和该基板部件之间设置有间隙。

4.如权利要求3所述的半导体封装，其特征在于，该间隙具有小于100μm的支座高度。

5.如权利要求4所述的半导体封装，其特征在于，该间隙填充有底部填充物，并且该底部填充物围绕该第一连接元件。

6.如权利要求5所述的半导体封装，其特征在于，该底部填充物包括非导电膏或非导电膜。

7.如权利要求4所述的半导体封装，其特征在于，该间隙未填充有底部填充物，并且该第一连接元件至少部分地暴露。

8.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，该重分布层结构包括电介质层、在该电介质层中的迹线、在该重分布层结构的基板侧表面处的用于与该基板部件连接的接合焊盘、以及布置在该重分布层结构的芯片侧表面处用于与该至少一个集成电路晶粒连接的重新分布的接合焊盘。

9.如权利要求8所述的半导体封装，其特征在于，该第一连接元件分别直接连接至该接合焊盘。

10.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，该重分布层结构具有线/间隔≤2/2μm的重分布层间距。

11.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，该重分布层结构的侧壁表面沿着竖直方向与该基板部件的该侧壁表面对准。

12.一种半导体封装，其特征在于，包括：

基板部件，包括第一表面、与所述第一表面相对的第二表面以及在该第一表面和该第二表面之间延伸的侧壁表面；

密封剂，覆盖该第二表面和该侧壁表面，其中该第一表面与该密封剂的上表面齐平；

重分布层结构，直接分布在该基板部件的该第一表面上和该密封剂的该上表面上；

球栅阵列球，安装在该基板部件的该第二表面上；以及

至少一个集成电路晶粒，通过该多个连接元件安装在该重分布层结构上。

13.如权利要求12所述的半导体封装，其特征在于，该密封剂与每个该球栅阵列球的上部分直接接触。

14.一种半导体封装，其特征在于，包括：

基板部件，包括第一表面、与该第一表面相对的第二表面以及在该第一表面和该第二表面之间延伸的侧壁表面；

密封剂，覆盖该第一表面、该第二表面和该侧壁表面；

重分布层结构，设置在该密封剂的上表面上，并通过第一连接元件与该第一表面电连接；

球栅阵列球，安装在该基板部件的该第二表面上；和

至少一个集成电路晶粒，通过第二连接元件安装在该重分布层结构上。

15.如权利要求14所述的半导体封装，其特征在于，该第一表面不与该密封剂的上表面齐平。