[发明专利]影像感测器装置及其形成方法

权利要求书

1.一种影像感测器装置，其特征在于，包含：

具有一第一表面及一第二表面的一半导体层，该第二表面与该第一表面相对；

一导电结构，设置在该第一表面上，其中一介电层设置在该导电结构与该第一表面之间；及

一衬垫区域，包含自该第一表面至该第二表面延伸穿过该半导体层的一凹部，该衬垫区域包含：

一间隔层，沿着该凹部的多个内侧壁延伸；

一氧化物层，内衬于该间隔层上方的该凹部；及

一衬垫结构，延伸穿过该氧化物层及该介电层以与该导电结构实体接触。

2.根据权利要求1所述的影像感测器装置，其特征在于，该氧化物层的至少一部分与该介电层直接接触。

3.根据权利要求1所述的影像感测器装置，其特征在于，进一步包含在该第一表面上方的多个辐射感测区域，所述多个辐射感测区域配置为用以吸收来自该第二表面的辐射。

4.根据权利要求3所述的影像感测器装置，其特征在于，所述多个辐射感测区域形成由该衬垫区域横向围绕的一阵列。

5.根据权利要求1所述的影像感测器装置，其特征在于，该间隔层与该氧化物层包括相同的聚乙基恶唑啉(PEOX)，但该间隔层具有比该氧化物层大的一蚀刻电阻率。

6.一种影像感测器装置，其特征在于，包含：

多个像素，设置在一半导体层的一第一表面上方；

一装置层，设置在该第一表面上方；

多个金属化层，设置在该装置层上方，其中所述多个金属化层中的一者包括至少一个导电结构，所述多个金属化层中的该者比所述多个金属化层的其他者更接近该第一表面；

一氧化物层，设置在该半导体层的一第二表面上方，该第二表面与该第一表面相对，该氧化物层亦内衬于一凹部，该凹部延伸穿过该半导体层；

一间隔层，设置在该凹部的多个内侧壁与该氧化物层之间；及

一衬垫结构，延伸穿过该氧化物层及该装置层，使得该衬垫结构与该至少一个导电结构实体接触。

7.根据权利要求6所述的影像感测器装置，其特征在于，该装置层包括一氮化物层，该氮化物层覆盖该第一表面中设置有所述多个像素的一第一部分，但不覆盖该第一表面中形成有该凹部的一第二部分。

8.根据权利要求6所述的影像感测器装置，其特征在于，该间隔层沿着该凹部的所述多个内侧壁延伸，且具有自该半导体层的该第一表面至该第二表面逐渐变窄的一轮廓。

9.根据权利要求6所述的影像感测器装置，其特征在于，该间隔层包括一第一氧化物材料，且该氧化物层包括一第二氧化物材料，该第一氧化物材料具有比该第二氧化物材料大的一蚀刻电阻率。

10.一种形成一影像感测器装置的方法，其特征在于，包含以下步骤：

在一半导体层的一第一表面上方形成多个像素，所述多个像素配置为用以吸收来自该半导体层的一第二表面的辐射，该半导体层的该第二表面与该半导体层的该第一表面相对；

在该半导体层的该第一表面上方形成一装置层；

在该装置层上方形成一金属化层；

蚀刻该半导体层的该第二表面以形成一凹部，该凹部与所述多个像素横向分离；

形成沿着该凹部的多个内侧壁延伸的一间隔层；

在该第二表面上方形成一氧化物层，其中该间隔层夹在所述多个内侧壁与该氧化物层之间；

蚀刻该氧化物层及该装置层的一部分以暴露该金属化层的一部分；及

沉积一导电材料以形成电性连接至该金属化层的该暴露部分的一衬垫结构。