[发明专利]一种利用有机半导体掺杂制备高迁移率晶体管的方法

权利要求书

1.一种利用有机半导体掺杂制备高迁移率晶体管的方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)选择合适的衬底，裁剪后清洗；

2)对衬底表面进行绝缘聚合物修饰；

3)在绝缘聚合物修饰后的衬底上真空蒸镀有机半导体材料；

4)使用掩膜版，在有机半导体层上蒸镀金作为源极、漏极得到有机场效应晶体管；

5)在有机场效应晶体管沟道内掺杂，真空蒸镀P型掺杂剂分子。

2.根据权利要求1所述的一种利用有机半导体掺杂制备高迁移率晶体管的方法，其特征在于，步骤1)所用的衬底是重掺杂的P型Si衬底，其表面生长100-300nm的二氧化硅为绝缘层。

3.根据权利要求1所述的一种利用有机半导体掺杂制备高迁移率晶体管的方法，其特征在于，步骤2)所用的绝缘聚合物为聚苯乙烯。

4.根据权利要求1所述的一种利用有机半导体掺杂制备高迁移率晶体管的方法，其特征在于，步骤3)所用有机半导体材料为C12-BTBT。

5.根据权利要求1所述的一种利用有机半导体掺杂制备高迁移率晶体管的方法，其特征在于，步骤5)所用掺杂剂分子材料为F4-TCNQ和CN6-CP。

6.根据权利要求1所述的一种利用有机半导体掺杂制备高迁移率晶体管的方法，其特征在于，蒸镀速度C12-BTBT为金为掺杂剂分子为

7.根据权利要求1所述的一种利用有机半导体掺杂制备高迁移率晶体管的方法，其特征在于，有机半导体层的厚度为20nm，金的厚度为500nm，掺杂剂厚度为2nm。