[发明专利]半导体器件结构，制备方法及电子设备

说明书

本申请实施例提供了一种半导体器件结构，制备方法及电子设备，所述半导体器件结构包括绝缘栅双极型晶体管芯片和肖特基二极管芯片，所述绝缘栅双极型晶体管芯片和肖特基二极管芯片反并联合封设置，本申请实施例通过将绝缘栅双极型晶体管芯片与肖特基二极管芯片充分组合与利用，使绝缘栅双极型晶体管器件减小功耗，降低温升，进而提高系统效率，使设备小型化和轻型化。

技术领域

本申请各实施例属于半导体领域，具体涉及半导体器件结构，制备方法及电子设备。

背景技术

在绝缘栅双极型晶体管单管两端通常反向并联的一个二极管，这个二极管叫做续流二极管(FWD，Freewheeling Diode)，通常是硅基快恢复二极管FRD(Fast RecoveryDiode)，该续流二极管的作用是在电路中电压或电流出现突变时，对电路中其他元件起保护作用。

传统绝缘栅双极型晶体管结构，将绝缘栅双极型晶体管芯片与Si基FRD合封形成，现有技术中由于续流二极管Si基FRD反向恢复时存在较大且时间较长的反向恢复电流，造成传统绝缘栅双极型晶体管升温较高，大大降低系统效率。同时现有电路系统体积大，重量较重。

发明内容

本申请实施例目的在于克服上述问题或者至少部分地解决或缓解上述问题，本申请提供的技术方案可以减小功耗，降低温升，进而提高系统效率，使设备小型化和轻型化。

第一方面，本申请实施例提供了一种半导体器件结构，包括，绝缘栅双极型晶体管芯片和肖特基二极管芯片，所述绝缘栅双极型晶体管芯片和肖特基二极管芯片反并联合封设置。

与现有技术相比，本发明实施例通过将绝缘栅双极型晶体管芯片与肖特基二极管芯片充分组合与利用，使绝缘栅双极型晶体管芯片器件可以减小功耗，降低温升，进而提高系统效率。

第二方面，本申请实施例还提供了一种半导体器件结构制备方法，包括，获取一绝缘栅双极型晶体管芯片和一肖特基二极管芯片；

将所述绝缘栅双极型晶体管芯片和肖特基二极管芯片反并联合封设置。

与现有技术相比，本申请第二方面提供实施例的有益效果与上述任一方面技术方案的有益效果相同，在此不再赘述。

第三方面，本申请实施例还提供了一种电子设备，包括第一方面所述的半导体器件结构。

与现有技术相比，本申请第三方面提供实施例的有益效果与上述任一方面技术方案的有益效果相同，在此不再赘述。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。后文将参照附图以示例性而非限制性的方式详细描述本申请的一些具体实施例。附图中相同的附图标记标示了相同或类似的部件或部分，本领域技术人员应该理解的是，这些附图未必是按比例绘制的，在附图中：

图1为现有IGBT器件结构示意图；

图2为现有IGBT器件结构桥臂电路T/4开通的示意图；

图3为现有IGBT器件结构桥臂电路2T/4开通的示意图；

图4为现有IGBT器件结构原理结构示意图；

图5为图3在t1时刻的波形图；

图6为图3在t1时刻的电流流向示意图；

图7为图3在t2时刻的波形图；

图8为图3在t3时刻的波形图(与Si基FRD合封的IGBT器件结构在t3时刻的波形图)；

图9为本申请实施例提供的IGBT器件结构结构示意图；