[发明专利]一种半导体芯片寄生电容的测试方法及装置有效
| 申请号： | 202110027707.1 | 申请日： | 2021-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN112881882B | 公开（公告）日： | 2023-02-07 |
| 发明（设计）人： | 黄寓洋 | 申请（专利权）人： | 苏州苏纳光电有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28;H01L21/66 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 芯片 寄生 电容 测试 方法 装置 | ||
1.一种半导体芯片寄生电容的测试方法，其特征在于：所述方法包括：
S100，测试芯片的总电容；
S200，测试芯片内部的Pad寄生电容；
S300，测试芯片的有源区电容；
S400，根据所述总电容、Pad寄生电容和有源区电容，计算芯片的爬坡寄生电容；
其中，所述爬坡寄生电容=总电容-Pad寄生电容-有源区电容。
2.根据权利要求1所述的一种半导体芯片寄生电容的测试方法，其特征在于：步骤S100~S300中，均采用半导体测试仪分别测得所述总电容、Pad寄生电容和有源区电容。
3.根据权利要求2所述的一种半导体芯片寄生电容的测试方法，其特征在于：将所述测试仪直接与芯片的电极相连接进行测试。
4.根据权利要求1所述的一种半导体芯片寄生电容的测试方法，其特征在于：所述100中，首先进行芯片制备，制备完成后，再测试芯片的总电容。
5.根据权利要求1所述的一种半导体芯片寄生电容的测试方法，其特征在于：所述200中，首先进行Pad制备，制备完成后，再测试芯片的Pad寄生电容。
6.根据权利要求1所述的一种半导体芯片寄生电容的测试方法，其特征在于：所述半导体芯片为探测器芯片，所述探测器芯片为铟镓砷探测器。
7.一种半导体芯片寄生电容的测试装置，其特征在于：所述装置包括：
总电容测试单元，用于测试芯片的总电容；
Pad寄生电容测试单元，用于测试芯片内部的Pad寄生电容；
有源区电容测试单元，用于测试芯片的有源区电容；
爬坡寄生电容计算单元，与所述总电容测试单元、Pad寄生电容测试单元和有源区电容测试单元均相连，用于根据所述总电容、Pad寄生电容和有源区电容，计算芯片的爬坡寄生电容；
其中，所述爬坡寄生电容=总电容-Pad寄生电容-有源区电容。
8.根据权利要求7所述的一种半导体芯片寄生电容的测试装置，其特征在于：所述总电容测试单元、Pad寄生电容测试单元和有源区电容测试单元均为半导体测试仪。
9.根据权利要求8所述的一种半导体芯片寄生电容的测试装置，其特征在于：所述半导体测试仪与芯片的相应电极相连接分别进行总电容、Pad寄生电容和有源区电容的测试。
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