[发明专利]一种促进工业大麻扦插苗水培生根的方法

权利要求书

1.一种促进工业大麻扦插苗水培生根的方法，其特征在于，在水中加入一定浓度的磁性氧化石墨烯纳米复合物。

2.根据权利要求1所述的促进工业大麻扦插苗水培生根的方法，其特征在于，磁性氧化石墨烯纳米复合物为表面负载有四氧化三铁磁性纳米颗粒的氧化石墨烯和/或表面负载有三氧化二铁磁性纳米颗粒的氧化石墨烯。

3.根据权利要求1或2所述的促进工业大麻扦插苗水培生根的方法，其特征在于，所述磁性氧化石墨烯纳米复合物的颗粒尺寸为10～100nm。

4.根据权利要求1或2所述的促进工业大麻扦插苗水培生根的方法，其特征在于，所述磁性氧化石墨烯纳米复合物在水中的浓度为10～200mg/L。

5.根据权利要求1或2所述的促进工业大麻扦插苗水培生根的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、选择生长健壮且无病虫害的半木质化工业大麻扦插苗，将扦插苗裁剪成一定长度，并剪掉底部多余叶片，仅留顶端部分叶子；

步骤二、将裁剪好的扦插苗用定植海绵固定；

步骤三、将已开孔泡沫薄板置于盛有水的容器中，容器中放入潜水泵，潜水泵在水培生根全过程中均呈开启状态；

步骤四、将固定好的扦插苗卡入泡沫薄板的孔中；

步骤五、向装有水的容器中加入磁性氧化石墨烯纳米复合物，然后将容器置于培养室中培养。

6.根据权利要求5所述的促进工业大麻扦插苗水培生根的方法，其特征在于，步骤一中，将扦插苗裁剪成6～15cm枝条，并剪掉底部多余叶片，仅留顶端2～4片叶子。

7.根据权利要求5所述的促进工业大麻扦插苗水培生根的方法，其特征在于，步骤二中，固定的部位为距扦插苗底部切口5～6cm的基部。

8.根据权利要求5所述的促进工业大麻扦插苗水培生根的方法，其特征在于，步骤三中，水位距容器底部10～15cm。

9.根据权利要求5所述的促进工业大麻扦插苗水培生根的方法，其特征在于，步骤四中，扦插苗底部浸入水中3～5cm。

10.根据权利要求5所述的促进工业大麻扦插苗水培生根的方法，其特征在于，步骤五中，然后将容器置于16h光照/8h黑暗的培养室中培养，室温为25～28℃。