[发明专利]半导体装置及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

一第一基板；以及

一贯孔，延伸穿过该第一基板，该第一基板包括：

多个第一开孔，在该第一基板的一第一区域中邻近该贯孔，所述第一开孔的每个开孔具有一第一深度；以及

多个第二开孔，在该第一基板的一第二区域中邻近该贯孔，所述第二开孔的每个开孔具有一第二深度，其中该第二深度大于该第一深度。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，该第一深度是从30nm到50nm，且该第二深度是从150nm到250nm。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，该第一深度对该第二深度的比例是从0.2到0.6。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中，该贯孔包括邻近该第一基板的一金属层，该金属层的厚度大于该第一深度且小于该第二深度。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其中，该金属层在该第一区域中是连续的且在该第二区域中是不连续的。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其中，该第一基板包括一第一表面及与该第一表面相对的一第二表面，其中该第一区域从该第一表面延伸至该第一表面与该第二表面之间的一点，且其中该第二区域从该点延伸至该第二表面。

7.如权利要求1所述的半导体装置，还包括接合至该第一基板的一第二基板，其中一个空腔延伸穿过该第二基板，其中该空腔具有多个锥形侧壁。

8.一种半导体装置的形成方法，包括：

用一第一图案化制程蚀刻一基板以形成一开口于该基板中，该开口从该基板的一第一表面延伸一第一深度，其中该第一图案化制程包括多个第一重复步骤，每个第一重复步骤包括一第一沉积及一第一蚀刻；以及

用一第二图案化制程蚀刻该基板以将该基板中的该开口从该第一深度延伸至一第二深度，其中该第二图案化制程包括多个第二重复步骤，每个第二重复步骤包括一第二沉积、一第二蚀刻、及一第三蚀刻，该第三蚀刻具有与该第一蚀刻及该第二蚀刻不同的制程参数。

9.一种半导体装置的形成方法，包括：

蚀刻一基板以形成一第一开口，该第一开口包括一第一区域及一第二区域，其中该第一区域从该基板的一表面延伸至该基板中的一第一深度，其中该第二区域从该基板中的该第一深度延伸至一第二深度，其中该蚀刻包括：

进行一第一图案化制程以形成该第一开口于该第一区域中，该第一图案化制程包括多个第一图案化重复步骤；以及

进行一第二图案化制程以形成该第一开口于该第二区域中，该第二图案化制程包括多个第二图案化重复步骤，其中每个第二图案化重复步骤的持续时间大于每个第一图案化重复步骤的持续时间；以及

沿着该第一开口的多个侧壁沉积一金属层，其中该金属层在该第一区域中的导电率小于该金属层在该第二区域中的导电率。

10.如权利要求9所述的半导体装置的形成方法，其中，该第一开口在该第一区域中的多个侧壁包括具有一第一深度的多个开孔，其中该第一开口在该第二区域中的多个侧壁具有一第二深度的多个开孔，且其中该金属层是沉积至大于该第一深度及该第二深度各自的厚度。