[发明专利]转移方法、微型器件阵列及其制备方法

权利要求书

1.一种微型器件阵列，其特征在于，所述微型器件阵列包括承载基板和承载于所述承载基板上的至少一微型器件，所述微型器件具有与所述承载基板接触的缓冲层；

所述缓冲层与所述承载基板接触的表面形成有弱化层，所述弱化层包括支撑部和由所述支撑部定义的空洞部；

所述空洞部被配置成在一作用于所述微型器件阵列的外部力的作用下发生断裂，使得所述微型器件与所述承载基板分离。

2.如权利要求1所述的微型器件阵列，其特征在于，所述支撑部呈网络状结构、阵列排布的条形状结构、十字型结构或矩形框结构。

3.如权利要求1所述的微型器件阵列，其特征在于，所述缓冲层具有与所述承载基板接触的第一表面；

所述第一表面具有抵接于所述承载基板的凸起结构和由所述凸起结构围设的开口阵列；

所述开口阵列构成所述空洞部，所述凸起结构构成所述支撑部，所述第一表面形成有所述弱化层。

4.如权利要求3所述的微型器件阵列，其特征在于，所述承载基板在其与所述缓冲层接触的表面上具有一绝缘层；

所述弱化层的所述支撑部贯穿所述绝缘层的厚度以抵接于所述承载基板，所述弱化层的所述空洞部在所述承载基板的正投影覆盖所述绝缘层。

5.如权利要求3所述的微型器件阵列，其特征在于，所述微型器件为微型LED器件，所述微型LED器件包括：

依次层叠于所述缓冲层的背离所述承载基板的表面上的第一半导体层、多量子阱层以及第二半导体层；

位于所述第一半导体层背离所述缓冲层的表面上的第一电极；以及，

位于所述第二半导体层背离所述缓冲层的表面上的第二电极。

6.一种微型器件的转移方法，其特征在于，所述转移方法包括：

提供一如权利要求1至5中任一项所述的微型器件阵列的步骤；

对位步骤：将所述微型器件阵列与一接收基板对位贴合；以及，

转移步骤：所述转移步骤包括：形成用于使所述弱化层断裂的所述外部力，使得所述微型器件与所述承载基板分离,以及,将所述微型器件保持于所述接收基板上。

7.如权利要求6所述的微型器件的转移方法，其特征在于，所述转移方法还包括以下步骤：

接合步骤：将被保持于所述接收基板的所述微型器件电性连接于所述接收基板上的步骤。

8.如权利要求7所述的微型器件的 转移方法，其特征在于，所述接收基板的表面上具有键合凸起阵列，则：

在所述对位步骤中：使所述微型器件的电极对准所述键合凸起；

在所述转移步骤中：使所述微型器件的电极黏附于所述键合凸起上，以将所述微型器件保持于所述接收基板上；

在所述接合步骤中：将所述微型器件的电极焊接于所述键合凸起上。

9.一种微型器件阵列的制备方法，所述微型器件阵列包括承载基板和设置于所述承载基板上的至少一微型器件，其特征在于，所述制备方法包括：

在一承载基板上制备一含硅材料层并图形化，然后对形成于所述承载基板上的含硅材料层进行氧化处理以得到一图形化衬底层的步骤，所述图形化衬底层的外表面具有一层图形化牺牲层；

在制备有所述图形化衬底层的所述承载基板上制备用于制备所述微型器件的多层磊晶层的步骤，其中所述磊晶层结构包括依次层叠的缓冲层、第一半导体层、多量子阱层及第二半导体层，并且所述缓冲层的第一表面覆盖于所述图形化衬底层和所述承载基板上；

对所述多层磊晶层进行蚀刻处理，以暴露所述多量子阱层；以及，

对所述图形化牺牲层进行蚀刻处理，使所述缓冲层的第一表面覆盖在所述图形化牺牲层的区域形成空洞部，所述缓冲层的第一表面的部分区域填充于所述图形化衬底层的镂空区域内形成与所述承载基板接触的支撑部，所述空洞部和所述支撑部构成弱化层，位于所述缓冲层与所述承载基板接触的第一表面。

10.根据权利要求9的微型器件阵列的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：

在所述多层磊晶层上制作第一电极和第二电极以获得微型器件的步骤，其中：所述第一电极与所述第一半导体层接触，所述第二电极与所述第二半导体层接触。