[发明专利]一种超薄一维有机单晶阵列薄膜及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种超薄一维有机单晶阵列薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）在基底上滴加第一有机半导体溶液；

（2）取表面刻蚀有硅柱的另一氧化硅片，将刻蚀有硅柱的一面覆盖在第一有机半导体溶液之上，在50-120℃下加热；

（3）在氧化硅片的边缘滴加第二有机半导体溶液，第二有机半导体溶液覆盖基底，在50-120℃下加热；

第一有机半导体溶液的溶质为有机半导体，溶剂为有机挥发性溶剂；第二有机半导体溶液的溶质和溶剂与第一有机半导体溶液相同；

所述有机半导体为TIPS-pentacene、C10-BTBT或C6-DPA；

第一有机半导体溶液的浓度范围是1~5 mg/mL；第二有机半导体溶液的浓度范围是0.1~0.3 mg/mL；

所述超薄一维有机单晶阵列薄膜的厚度为1.6～20 nm。

2.根据权利要求1所述的超薄一维有机单晶阵列薄膜的制备方法，其特征在于，所述有机挥发性溶剂为甲苯、氯苯或邻二氯苯。

3.根据权利要求1所述的超薄一维有机单晶阵列薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（2）中加热的时间为6-7小时，步骤（3）中加热的时间为6-7小时。

4.一种超薄一维有机单晶阵列薄膜，其特征在于，采用如权利要求1~3任一所述的超薄一维有机单晶阵列薄膜的制备方法制备得到。

5.一种如权利要求4所述的超薄一维有机单晶阵列薄膜的应用，其特征在于，将所述超薄一维有机单晶阵列薄膜用于制备场效应晶体管器件。

6.根据权利要求5所述的超薄一维有机单晶阵列薄膜的应用，其特征在于，所述场效应晶体管器件由下至上依次包括基底、所述超薄一维有机单晶阵列薄膜和Au电极。