[发明专利]一种有机电化学晶体管及其制备方法在审
申请号: | 202110030861.4 | 申请日: | 2021-01-11 |
公开(公告)号: | CN112768608A | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
发明(设计)人: | 王魁;吴雨辰;江雷 | 申请(专利权)人: | 季华实验室 |
主分类号: | H01L51/05 | 分类号: | H01L51/05;H01L51/40;G01N27/414 |
代理公司: | 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 | 代理人: | 陈志超;唐敏珊 |
地址: | 528200 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 电化学 晶体管 及其 制备 方法 | ||
1.一种有机电化学晶体管,其特征在于,包括金材料电极、基底、导电聚合物纳米线阵列、储液槽和参比电极,所述导电聚合物纳米线阵列分布在基底上,金材料电极作为有机电化学晶体管的源极与漏极设置在基底上、位于导电聚合物纳米线阵列的两端,储液槽设置在基底上,导电聚合物纳米线阵列置于由储液槽围成的空间内,在储液槽内注入电解液,金材料电极与电解液绝缘连接,参比电极作为有机电化学晶体管的栅极插入电解液中。
2.根据权利要求1所述的有机电化学晶体管,其特征在于,在基底和金材料电极之间还设置有铬材料层。
3.根据权利要求1所述的有机电化学晶体管,其特征在于,所述导电聚合物纳米线阵列中纳米线的宽度为0.5微米-4微米,纳米线长度与有机电化学晶体管的沟道长度一致。
4.根据权利要求1所述的有机电化学晶体管,其特征在于,在金材料电极表面覆盖聚酰亚胺胶带或指甲油,以使金材料电极与电解液绝缘连接。
5.根据权利要求1所述的有机电化学晶体管,其特征在于,所述储液槽由多块聚二甲基硅氧烷板围成。
6.根据权利要求1所述的有机电化学晶体管,其特征在于,所述电解液为NaCl溶液或盐酸溶液或磷酸溶液,溶液浓度为0.01%-5%。
7.根据权利要求1所述的有机电化学晶体管,其特征在于,所述作为有机电化学晶体管的栅极的参比电极为Ag/AgCl参比电极或直接蒸镀的金材料电极或改性的金材料电极。
8.一种如权利要求1至7任一所述的有机电化学晶体管的制备方法,其特征在于,具体包括以下步骤:
S1:在基底表面制备导电聚合物纳米线阵列;
S2:用掩膜版在导电聚合物纳米线阵列的两端蒸镀金材料电极;
S3:使用聚酰亚胺胶带或指甲油覆盖金材料电极,使其避免与电解液直接接触,只露出沟道内的导电聚合物纳米线阵列;
S4:采用聚二甲基硅氧烷板在基底表面制备储液槽,导电聚合物纳米线阵列置于由储液槽围起的空间内;
S5:将电解液加入储液槽,参比电极作为有机电化学晶体管的栅极插入电解液中,制得完整的有机电化学晶体管。
9.根据权利要求8所述的有机电化学晶体管的制备方法,其特征在于,所述S1中,具体包括以下步骤:
s11:制得硅柱模板:使用全氟辛基三氯硅烷对硅柱模板进行修饰,使硅柱模板的表面的和侧壁产生浸润性差异;
s12:配置分散液;
s13:将所述分散液滴于修饰处理后的硅柱模板上,将所述滴有分散液的硅柱模板与所述基底压紧,将压紧后的基底和硅柱模板转入烘箱内烘干;
s14:将经过烘干处理后的基底与硅柱模板拆开,将表面覆盖有导电聚合物纳米线阵列的基底进行退火,得到表面覆盖有导电聚合物纳米线阵列的基底。
10.根据权利要求9所述的有机电化学晶体管的制备方法,其特征在于,所述s12中,所述分散液为PEDOT:PSS分散液或聚苯胺分散液或聚吡咯分散液。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于季华实验室,未经季华实验室许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110030861.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种处理农村生活污水家电型净化机
- 下一篇:一种智能化节能式农用除草机
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择