[发明专利]栅极电极沉积及由其形成的结构

权利要求书

1.一种用于形成栅极电极的方法，所述方法包括：

使用原子层沉积工艺在栅极电介质层之上沉积第一功函数调谐层，其中，所述原子层沉积工艺包括：

沉积一个或多个第一氮化物单层；以及

在所述一个或多个第一氮化物单层之上沉积一个或多个碳化物单层；

沉积所述第一功函数调谐层的粘合层；以及

在所述粘合层之上沉积导电材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述一个或多个第一氮化物单层包括：

在执行所述原子层沉积工艺的沉积室中以脉冲的形式传送含金属前驱体；以及

在所述沉积室中以脉冲的形式传送含氮前驱体。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述含金属前驱体是TiCl₄，并且所述含氮前驱体是NH₃。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述含金属前驱体是TaCl₅，并且所述含氮前驱体是NH₃。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述一个或多个碳化物单层包括：

在执行所述原子层沉积工艺的沉积室中以脉冲的形式传送含金属前驱体；以及

在所述沉积室中以脉冲的形式传送含碳前驱体。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述含金属前驱体是TiCl₄，并且其中，所述含碳前驱体是三甲基铝(TMA)或三乙基铝(TEA)。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述含金属前驱体是TaCl₅，并且其中，所述含碳前驱体是三甲基铝(TMA)或三乙基铝(TEA)。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述原子层沉积工艺还包括在所述一个或多个碳化物单层之上沉积一个或多个第二氮化物单层。

9.一种用于形成半导体器件的方法，包括：

在第一栅极间隔体之间形成第一凹槽；

在所述第一凹槽中沉积p型功函数调谐层，其中，沉积所述p型功函数调谐层包括：

沉积氮化物的第一单层；

在所述第一单层之上沉积碳化物的第二单层；以及

在所述第二单层之上沉积所述氮化物的第三单层；

在所述第一凹槽中、在所述p型功函数调谐层之上沉积n型功函数调谐层；

在所述第一凹槽中、在所述n型功函数调谐层之上沉积粘合层；以及

在所述第一凹槽中、在所述粘合层之上沉积导电填充材料。

10.一种半导体器件，包括：

第一源极/漏极区域；

第二源极/漏极区域；以及

第一栅极，位于所述第一源极/漏极区域和所述第二源极/漏极区域之间，所述第一栅极包括：

栅极电介质；和

栅极电极，位于所述栅极电介质之上，所述栅极电极包括：

第一p型功函数调谐金属，位于所述栅极电介质之上，所述第一p型功函数调谐金属包含碳和氮；

粘合层，位于所述第一p型功函数调谐金属之上；和

填充金属，位于所述粘合层之上。