[发明专利]半导体结构制作方法及半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构制作方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括第一区域以及位于所述第一区域外的第二区域；

在所述基底上形成介质层；

在所述介质层上形成第一扩散膜层，所述第一扩散膜层包括第一金属氧化物层；

去除所述第二区域对应的所述第一扩散膜层；

在所述第二区域对应的所述介质层上形成第二扩散膜层，所述第二扩散膜层包括与所述介质层接合的第二金属氧化物层；

退火处理，以使所述第一金属氧化物层中的第一金属元素扩散至所述第一区域对应的所述介质层中，以及同时使所述第二金属氧化物层中的第二金属元素扩散至所述第二区域对应的所述介质层中。

2.根据权利要求1所述的半导体结构制作方法，其特征在于，

形成所述第一扩散膜层包括：

在所述介质层上依次形成第一金属氧化物层、以及第一密封层。

3.根据权利要求2所述的半导体结构制作方法，其特征在于，在形成所述第一金属氧化物层之前还包括：在所述介质层上形成阻挡层。

4.根据权利要求3所述的半导体结构制作方法，其特征在于，在所述第二区域对应的所述介质层上形成第二扩散膜层包括：

在所述第一区域对应的第一扩散膜层上、以及所述第二区域对应的介质层上形成所述第二扩散膜层；

刻蚀去除位于所述第一区域对应的所述第二扩散膜层。

5.根据权利要求2所述的半导体结构制作方法，其特征在于，在所述第一区域对应的第一扩散膜层上、以及所述第二区域对应的介质层上形成所述第二扩散膜层包括：

在所述第一区域对应的第一扩散膜层上、以及所述第二区域对应的介质层上依次形成所述第二金属氧化物层以及第二密封层。

6.根据权利要求1所述的半导体结构制作方法，其特征在于，在形成所述介质层之前还包括：

在所述第二区域对应的所述基底上形成含有预设金属的外延层。

7.根据权利要求6所述的半导体结构制作方法，其特征在于，所述基底为硅基底，所述预设金属为锗。

8.一种半导体结构，其特征在于，包括基底，所述基底具有第一区域以及位于所述第一区域外的第二区域；

所述半导体结构还包括设置在所述基底上的介质层，其中，与所述第一区域对应的所述介质层上设置有第一扩散膜层，所述第一扩散膜层包括第一金属氧化物层；与所述第二区域对应的所述介质层上设置有第二扩散膜层，所述第二扩散膜层包括与所述介质层接合的第二金属氧化物层。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述第一扩散膜层包括层叠设置的所述第一金属氧化物层以及第一密封层，所述第一密封层位于所述第一金属氧化物层背离所述基底的一侧。

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述第一扩散膜层还包括位于所述第一金属氧化物层和所述介质层之间的阻挡层。

11.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述第二扩散膜层还包括位于所述第二金属氧化物层背离所述基底一侧的第二密封层。

12.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述第二区域对应的所述基底上设置有包含预设金属的外延层。

13.根据权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述基底为硅基底，所述预设金属为锗。

14.根据权利要求8-13任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述介质层包括层叠设置的第一介质层和第二介质层，所述第一介质层位于所述第二介质层背离所述基底的一侧，且所述第一介质层的介电常数大于所述第二介质层的介电常数。

15.根据权利要求8-13任一项所述的半导体结构，其特征在于，位于所述基底上且与所述第一区域对应的各膜层构成N型晶体管，位于所述基底上且与所述第二区域对应的各膜层构成P型晶体管。