[发明专利]一种耐热蚀复合防护涂层及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202110033426.7 申请日: 2021-01-12
公开(公告)号: CN112877637B 公开(公告)日: 2022-02-08
发明(设计)人: 何东青;尚伦霖;李文生;成波;翟海民;张新健 申请(专利权)人: 兰州理工大学
主分类号: C23C4/06 分类号: C23C4/06;C23C4/129;C23C14/00;C23C14/02;C23C14/06;C23C14/16;C23C14/35;C23C14/50;C23C14/54;C23C28/00
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 赵琪
地址: 730050 甘肃*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要:
搜索关键词: 一种 耐热 复合 防护 涂层 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种耐热蚀复合防护涂层,其特征在于,由设在以310S不锈钢为金属基体上的厚度为250μm的NiCr-Cr3C2涂层、NiCr-Cr3C2涂层上的厚度为180nm的Cr过渡层、设在Cr过渡层上的厚度为220nm的Cr/CrAlN过渡层和设在Cr/CrAlN过渡层层上的厚度为3.2μm的CrAlN层构成,

制备方法,包括以下步骤:

⑴将310s不锈钢表面打磨平整后,采用丙酮清洗液,在超声功率为800W、温度为25℃的条件下超声清洗15min,得到金属基体;

⑵利用超音速火焰喷涂技术在金属基体表面喷涂一层厚度为250μm的NiCr-Cr3C2涂层,超音速火焰喷涂的条件是指喷涂粉末为包覆型20%NiCr-80%Cr3C2商用粉末,氧气流量为180L·min-1,丙烷流量为16L·min-1,送粉速率为40g·min-1,喷涂距离为200mm;

⑶将NiCr-Cr3C2涂层的表面逐级打磨,分别用800、1000、1500和2000目砂纸分四级抛光,单次去除量为5μm,最后用粒度为1.5μm金刚石研磨膏抛至镜面、抛光至Ra≤0.2μm,且去除量≤50μm后,依次采用无水乙醇、丙酮作为清洗液,在超声功率为800W、温度为25℃的条件下超声清洗15min,然后氮气吹干;

⑷将步骤⑶所得的表面喷涂有NiCr-Cr3C2涂层的金属基体固定于闭合场非平衡磁控溅射系统样品架上,先用Ar+在偏压为-500V、时间为15min的条件下轰击清洗NiCr-Cr3C2涂层,再采用闭合场非平衡磁控溅射技术,以纯度为99.999%的Cr靶、AlCr靶为溅射靶材,AlCr靶为70%Cr-30%Al,通过控制偏压、靶功率、样品转架转速制备厚度为180nm的Cr过渡层和厚度为220nm的Cr/CrAlN过渡层;

其中:Cr过渡层沉积条件是指偏压为-70V,背景真空为2×10-4Pa,基底温度为270℃,Cr靶靶功率为1.2kW,沉积10min,样品转架转速为5rpm;Cr/CrAlN过渡层沉积条件是指Cr靶与CrAl靶相对放置,偏压为-50V,基底温度为280℃,在25min内Cr靶功率由1.2kW线性降至0W,CrAl靶靶功率由0W线性增加至2.5kW,Ar/N2气流量比为1,总气压为0.25Pa,样品转架转速为2.5rpm;

⑸在Cr/CrAlN过渡层上沉积厚度为3.2μm的CrAlN层,沉积条件是指偏压为-50V,基底温度为300℃,CrAl靶靶功率为2.5kW,样品转架转速为5rpm,Ar/N2气流量比为1,总气压为0.2Pa,沉积时间为100min。

2.权利要求1所述耐热蚀复合防护涂层的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

⑴将310s不锈钢表面打磨平整后,采用丙酮清洗液,在超声功率为800W、温度为25℃的条件下超声清洗15min,得到金属基体;

⑵利用超音速火焰喷涂技术在金属基体表面喷涂一层厚度为250μm的NiCr-Cr3C2涂层,超音速火焰喷涂的条件是指喷涂粉末为包覆型20%NiCr-80%Cr3C2商用粉末,氧气流量为180L·min-1,丙烷流量为16L·min-1,送粉速率为40g·min-1,喷涂距离为200mm;

⑶将NiCr-Cr3C2涂层的表面逐级打磨,分别用800、1000、1500和2000目砂纸分四级抛光,单次去除量为5μm,最后用粒度为1.5μm金刚石研磨膏抛至镜面、抛光至Ra≤0.2μm,且去除量≤50μm后,依次采用无水乙醇、丙酮作为清洗液,在超声功率为800W、温度为25℃的条件下超声清洗15min,然后氮气吹干;

⑷将步骤⑶所得的表面喷涂有NiCr-Cr3C2涂层的金属基体固定于闭合场非平衡磁控溅射系统样品架上,先用Ar+在偏压为-500V、时间为15min的条件下轰击清洗NiCr-Cr3C2涂层,再采用闭合场非平衡磁控溅射技术,以纯度为99.999%的Cr靶、AlCr靶为溅射靶材,AlCr靶为70%Cr-30%Al,通过控制偏压、靶功率、样品转架转速制备厚度为180nm的Cr过渡层和厚度为220nm的Cr/CrAlN过渡层;

其中:Cr过渡层沉积条件是指偏压为-70V,背景真空为2×10-4Pa,基底温度为270℃,Cr靶靶功率为1.2kW,沉积10min,样品转架转速为5rpm;Cr/CrAlN过渡层沉积条件是指Cr靶与CrAl靶相对放置,偏压为-50V,基底温度为280℃,在25min内Cr靶功率由1.2kW线性降至0W,CrAl靶靶功率由0W线性增加至2.5kW,Ar/N2气流量比为1,总气压为0.25Pa,样品转架转速为2.5rpm;

⑸在Cr/CrAlN过渡层上沉积厚度为3.2μm的CrAlN层,沉积条件是指偏压为-50V,基底温度为300℃,CrAl靶靶功率为2.5kW,样品转架转速为5rpm,Ar/N2气流量比为1,总气压为0.2Pa,沉积时间为100min。

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