[发明专利]封装后的内存修复方法及装置、存储介质、电子设备

说明书

本公开是关于一种封装后的内存修复方法及装置、计算机可读存储介质、电子设备，所述方法包括：在内存测试过程中，将所述内存的失效信息写入到SPD中，所述失效信息包括失效地址；在设备开机后，从所述SPD中读取所述失效地址，并确定所述失效地址所在的失效线路的数量；在所述失效线路的数量小于或等于冗余线路的数量时，使用所述冗余线路对所述失效线路进行修复；在所述失效线路的数量大于所述冗余线路的数量时，将所述失效信息加载到寄存器中。本公开实现了对失效地址的全部修复。

技术领域

本公开涉及集成电路技术领域，具体而言，涉及一种封装后的内存修复方法及装置、计算机可读存储介质、电子设备。

背景技术

计算机系统一般由处理器、内存、输入设备、输出设备和总线五部分组成，其中，内存用来保存处理器运行所需的指令和数据。内存一般是用半导体工艺的动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)实现的。

DRAM通常包括一个或多个存储单元陈列，每个存储单元阵列包括以行和列的矩阵布置的存储单元。DRAM通常还包括冗余存储单元，其可用于在功能上替换存储单元阵列中的失效存储单元。

然而，由于在封装后，每个存储体组中可用的冗余存储单元有限，无法实现失效存储单元的全部修复操作。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种封装后的内存修复方法及装置、计算机可读存储介质、电子设备，进而至少在一定程度上克服无法实现失效存储单元的全部修复操作的问题。

本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本发明的实践而习得。

根据本公开的第一方面，提供一种封装后的内存修复方法，所述方法包括：

在内存测试过程中，将所述内存的失效信息写入到SPD中，所述失效信息包括失效地址；

在设备开机后，从所述SPD中读取所述失效地址，并确定所述失效地址所在的失效线路的数量；

在所述失效线路的数量小于或等于冗余线路的数量时，使用所述冗余线路对所述失效线路进行修复；

在所述失效线路的数量大于所述冗余线路的数量时，将所述失效信息加载到寄存器中。

可选的，将所述内存的失效信息写入到内存中包括：

将所述失效信息写入到EEPROM的所述SPD中。

可选的，确定所述失效地址所在的失效线路的数量包括：

确定同一个存储体组中所述失效地址所在的所述失效线路的数量。

可选的，所述冗余线路的数量是同一个所述存储体组中的冗余线路的数量。

可选的，所述方法还包括：

在对所述内存进行读写访问过程中，如果访问到所述失效地址，则直接从所述寄存器中读写所述失效地址对应的信息。

可选的，在内存测试过程中，将所述内存的失效信息写入到内存中包括：

在所述内存测试过程中，将所述失效信息写入到所述内存的用户自定义字节中。

可选的，所述失效信息还包括失效位置、失效颗粒的Rank、Bank/Bank Group、行地址和列地址；

将所述失效信息写入到所述内存的用户自定义字节中包括：

将所述失效信息顺序写入到所述用户自定义字节中。