[发明专利]制造半导体器件的方法及半导体器件

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

提供结构，所述结构包括半导体衬底、位于所述半导体衬底上方的外延源极/漏极部件、以及位于所述外延源极/漏极部件上方的一个或多个介电层；

在所述一个或多个介电层中蚀刻孔，以暴露所述外延源极/漏极部件的部分；

在所述外延源极/漏极部件的所述部分上方形成硅化物层；

在所述硅化物层上方形成导电阻挡层；和

对至少所述导电阻挡层应用等离子体清洁工艺，其中所述等离子体清洁工艺使用包括N₂气体和H₂气体的气体混合物，并在至少300℃的温度下执行。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述等离子体清洁工艺的至少一部分期间，所述N₂气体的流速与所述H₂气体的流速的比率控制为在0.03至0.28的范围内。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述等离子体清洁工艺期间，所述N₂气体的流速与所述H₂气体的流速的比率控制为约0.22至0.26。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在300℃至500℃的范围内的温度下执行所述等离子体清洁工艺。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述孔中和所述导电阻挡层上方沉积金属。

6.根据权利要求5所述的方法，还包括在沉积所述金属之前，在所述导电阻挡层上方沉积第二导电阻挡层。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，在工艺室中执行所述等离子体清洁工艺，其中，将所述结构保持在加热至约380℃至400℃的静电卡盘。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述等离子体清洁工艺85秒至95秒。

9.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

提供结构，所述结构包括衬底、从所述衬底突出的两个半导体鳍、位于所述两个半导体鳍上方并连接到所述两个半导体鳍的包括硅锗的源极/漏极部件、以及位于所述半导体鳍和所述源极/漏极部件上方的一个或多个介电层；

在所述一个或多个介电层中蚀刻孔以暴露源极/漏极部件的部分；

在所述源极/漏极部件的所述部分上方形成一个或多个导电层，其中所述一个或多个导电层包括钛；

对所述一个或多个导电层执行等离子体清洁工艺，其中所述等离子体清洁工艺使用由具有N₂气体和H₂气体的混合物生成的等离子体，并在约300℃至约400℃的范围内的温度下执行；以及

在执行所述等离子体清洁工艺之后，在所述孔中沉积金属层。

10.一种半导体器件，包括：

衬底；

两个半导体鳍，从所述衬底突出；

外延部件，位于所述两个半导体鳍上方并与连接至所述两个半导体鳍；

硅化物层，位于外延部件上方；

阻挡层，位于所述硅化物层上方，所述阻挡层具有金属氮化物；以及

金属层，位于所述阻挡层上方，

其中，沿所述阻挡层和所述金属层之间的边界，氧与金属氮化物的原子比率为约0.15至约1.0。