[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 202110034188.1 申请日: 2019-07-04
公开(公告)号: CN112880850A 公开(公告)日: 2021-06-01
发明(设计)人: 山下哲生;稗田智宏;村冈宏记;田畑光晴;增田晃一 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: G01K7/16 分类号: G01K7/16;H02M1/00;H02M7/48
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其特征在于,具备:

半导体芯片,其电阻值与温度相对应地变化;

外部电阻,其与所述半导体芯片串联连接;以及

检测部,其在向由所述半导体芯片和所述外部电阻形成的串联电路的两端施加了第1电压的状态下,对施加至所述外部电阻的两端的第2电压进行检测,

所述检测部根据所述第2电压对所述半导体芯片的温度进行计算,

所述半导体芯片具有并联连接的多个内部电阻,

所述半导体芯片的所述电阻值是所述多个内部电阻的电阻值。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

所述多个内部电阻包含第1电阻和第2电阻,其中,该第2电阻与所述第1电阻相比电阻值相对于温度变化的变化量小,

在至少一部分的温度区域,所述第2电阻的电阻值比所述第1电阻的电阻值小。

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