[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一晶体管，所述第一晶体管包括：

多个第一沟道构件，和

第一栅极结构，环绕所述多个第一沟道构件中的每个；以及第二晶体管，所述第二晶体管包括：

多个第二沟道构件，以及

第二栅极结构，设置在所述多个第二沟道构件的上方，

其中，所述多个第一沟道构件中的每个具有第一宽度和小于所述第一宽度的第一高度，

其中，所述多个第二沟道构件中的每个具有第二宽度和大于所述第二宽度的第二高度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个第一沟道构件的间距与所述多个第二沟道构件的间距相同。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一宽度大于所述第二宽度。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一高度小于所述第二高度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第二栅极结构包括栅极介电层和栅电极，

其中，所述栅电极通过所述栅极介电层与所述多个第二沟道构件间隔，

其中，所述栅极介电层环绕所述多个第二沟道构件的每个，以及

其中，所述栅电极没有完全环绕所述多个第二沟道构件中的每个。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，

其中，所述栅极介电层包括与所述多个第二沟道构件中的一个相邻的第一部分和与所述多个第二沟道构件中的另一个相邻的第二部分，

其中所述第一部分与所述第二部分接触。

7.一种半导体器件，包括：

第一晶体管，所述第一晶体管包括：

第一沟道构件，在第一底座部分的上方并与所述第一底座部分间隔，和

第一栅极结构，环绕所述第一沟道构件；以及

第二晶体管，所述第二晶体管包括：

第二沟道构件，在第二底座部分的上方并与所述第二底座部分间隔，和

第二栅极结构，设置在所述第二沟道构件的上方，并包括界面层、栅极介电层和栅电极，

其中，所述界面层设置在所述第二沟道构件和所述第二底座部分上，

其中，所述栅极介电层设置在所述界面层上，

其中，所述栅电极不在所述第二沟道构件与所述第二底座部分之间延伸。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，还包括

栅极间隔层，沿所述第一栅极结构的侧壁和所述第二栅极结构的侧壁设置。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，

其中，所述第一沟道构件沿方向在第一源极/漏极部件与第二源极/漏极部件之间纵向延伸，

其中，所述第一沟道构件包括直接在所述第一栅极结构下方的沟道部分和沿所述方向在所述沟道部分与所述第一源极/漏极部件之间的连接部分，以及

其中，所述连接部分的高度大于所述沟道部分的高度。

10.一种形成半导体器件的方法，包括：

在衬底上沉积堆叠件，所述堆叠件包括由多个牺牲层交错的多个沟道层；

将所述堆叠件和所述衬底图案化为第一鳍状结构和第二鳍状结构；

在所述第一鳍状结构的第一沟道区的上方形成第一伪栅极堆叠件，并且在所述第二鳍状结构的第二沟道区的上方形成第二伪栅极堆叠件；

形成将所述第一沟道区和所述第二沟道区夹在中间的源极/漏极部件；

除去所述第一伪栅极堆叠件和所述第二伪栅极堆叠件；

选择性除去所述第一沟道区中的所述牺牲层，以释放所述第一沟道区中的沟道层；

选择性除去所述第二沟道区中的所述牺牲层，以在所述第二沟道区中形成第一沟道构件；

选择性修剪所述第一沟道区中的沟道层，以在所述第一沟道区中形成第二沟道构件；

在所述第二沟道构件的上方形成第一栅极结构；以及

在所述第一沟道构件的上方形成第二栅极结构。