[发明专利]发光装置在审
申请号: | 202110034902.7 | 申请日: | 2021-01-12 |
公开(公告)号: | CN113206207A | 公开(公告)日: | 2021-08-03 |
发明(设计)人: | 大卫·詹姆斯·蒙哥马利;蒂姆·米迦勒·斯米顿 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/50 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 叶乙梅 |
地址: | 日本国大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 | ||
1.一种发光装置,其特征在于,包括:
堤结构;
发射腔,设置在所述堤结构内;
填充材料层,设置在所述堤结构内并且位于所述发射腔的发光侧上;以及
反射光学腔,沿着所述堤结构面向所述填充材料层的内表面设置,所述反射光学腔被配置为将由所述填充材料层的发射侧表面内反射并入射到所述反射光学腔上的光外耦合。
2.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,所述反射光学腔包括由非导电电介质层分开的第一导电层和第二导电层。
3.根据权利要求2所述的发光装置,其特征在于,所述第一导电层抵靠所述堤构造的所述内表面配置,所述第二导电层抵靠与所述堤构造的所述内表面相对的所述填充材料层配置。
4.根据权利要求2或3所述的发光装置,其特征在于,所述发射腔包括设置在第一电极层和第二电极层之间的发光层,所述第一导电层配置为所述第一电极层的延伸部,所述第二导电层配置为所述第二电极层的延伸部。
5.根据权利要求4所述的发光装置,其特征在于,所述第一电极层设置在所述发光层的非发光侧上,所述第二电极层设置在所述发光层的发光侧上,所述第一电极层在所述堤结构的发射侧表面上延伸。
6.根据权利要求4所述的发光装置,其特征在于,所述第一电极层设置在所述发光层的非发光侧上,所述第二电极层设置在所述发光层的发光侧上,所述第二电极层在所述堤结构的发光侧表面上延伸。
7.根据权利要求4至6中任一项所述的发光装置,其特征在于,所述第二电极层包括:与所述发射腔的发光侧相邻的第一部分;以及沿着所述堤结构的所述内表面从所述第一部分延伸而出的第二部分,所述第一部分和所述第二部分具有不同的特性。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的发光装置,其特征在于,在所述反射光学腔内反射的光的相位差为2nπ,其中n为整数。
9.根据权利要求2至8中任一项所述的发光装置,其特征在于,所述介电材料层在所述第一导电层与所述第二导电层之间的方向上的厚度是使得所述反射光学腔在垂直于所述第一导电层与所述第二导电层的方向上的厚度大于所述发射腔在发光方向上的厚度。
10.根据权利要求9所述的发光装置,其特征在于,所述发射腔在发光方向上具有由所述发射腔发射的光的约一个波长的厚度,所述反射光学腔在所述第一导电层与所述第二导电层之间的方向上具有由所述发射腔发射的光的两到三个波长的光的厚度。
11.根据权利要求2至10中任一项所述的发光装置,其特征在于,所述介电材料层在所述第一导电层和所述第二导电层之间的方向上具有非恒定的厚度。
12.根据权利要求11所述的发光装置,其特征在于,所述介电材料层具有在远离所述发射腔的方向上变厚的楔形形状。
13.根据权利要求2至12中任一项所述的发光装置,其特征在于,所述介电材料层具有1.0至1.4的折射率。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的发光装置,其特征在于,所述填充材料层的折射率为1.5至2.5。
15.根据权利要求1至14中任一项所述的发光装置,其特征在于,所述发射腔设置于基板上,且所述发射腔是在与所述基板相反的方向上发射光的顶发射装置。
16.根据权利要求1至15中任一项所述的发光装置,其特征在于,进一步包括平坦化材料层,所述平坦化材料层设置在所述填充材料层上且具有小于所述填充材料层的折射率。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社,未经夏普株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110034902.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:医学图像捕获装置、其控制程序及系统
- 下一篇:晶片测试系统及其方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择