[发明专利]发光装置在审

专利信息
申请号: 202110034902.7 申请日: 2021-01-12
公开(公告)号: CN113206207A 公开(公告)日: 2021-08-03
发明(设计)人: 大卫·詹姆斯·蒙哥马利;蒂姆·米迦勒·斯米顿 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/50
代理公司: 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 代理人: 叶乙梅
地址: 日本国大*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 发光 装置
【权利要求书】:

1.一种发光装置,其特征在于,包括:

堤结构;

发射腔,设置在所述堤结构内;

填充材料层,设置在所述堤结构内并且位于所述发射腔的发光侧上;以及

反射光学腔,沿着所述堤结构面向所述填充材料层的内表面设置,所述反射光学腔被配置为将由所述填充材料层的发射侧表面内反射并入射到所述反射光学腔上的光外耦合。

2.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,所述反射光学腔包括由非导电电介质层分开的第一导电层和第二导电层。

3.根据权利要求2所述的发光装置,其特征在于,所述第一导电层抵靠所述堤构造的所述内表面配置,所述第二导电层抵靠与所述堤构造的所述内表面相对的所述填充材料层配置。

4.根据权利要求2或3所述的发光装置,其特征在于,所述发射腔包括设置在第一电极层和第二电极层之间的发光层,所述第一导电层配置为所述第一电极层的延伸部,所述第二导电层配置为所述第二电极层的延伸部。

5.根据权利要求4所述的发光装置,其特征在于,所述第一电极层设置在所述发光层的非发光侧上,所述第二电极层设置在所述发光层的发光侧上,所述第一电极层在所述堤结构的发射侧表面上延伸。

6.根据权利要求4所述的发光装置,其特征在于,所述第一电极层设置在所述发光层的非发光侧上,所述第二电极层设置在所述发光层的发光侧上,所述第二电极层在所述堤结构的发光侧表面上延伸。

7.根据权利要求4至6中任一项所述的发光装置,其特征在于,所述第二电极层包括:与所述发射腔的发光侧相邻的第一部分;以及沿着所述堤结构的所述内表面从所述第一部分延伸而出的第二部分,所述第一部分和所述第二部分具有不同的特性。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的发光装置,其特征在于,在所述反射光学腔内反射的光的相位差为2nπ,其中n为整数。

9.根据权利要求2至8中任一项所述的发光装置,其特征在于,所述介电材料层在所述第一导电层与所述第二导电层之间的方向上的厚度是使得所述反射光学腔在垂直于所述第一导电层与所述第二导电层的方向上的厚度大于所述发射腔在发光方向上的厚度。

10.根据权利要求9所述的发光装置,其特征在于,所述发射腔在发光方向上具有由所述发射腔发射的光的约一个波长的厚度,所述反射光学腔在所述第一导电层与所述第二导电层之间的方向上具有由所述发射腔发射的光的两到三个波长的光的厚度。

11.根据权利要求2至10中任一项所述的发光装置,其特征在于,所述介电材料层在所述第一导电层和所述第二导电层之间的方向上具有非恒定的厚度。

12.根据权利要求11所述的发光装置,其特征在于,所述介电材料层具有在远离所述发射腔的方向上变厚的楔形形状。

13.根据权利要求2至12中任一项所述的发光装置,其特征在于,所述介电材料层具有1.0至1.4的折射率。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的发光装置,其特征在于,所述填充材料层的折射率为1.5至2.5。

15.根据权利要求1至14中任一项所述的发光装置,其特征在于,所述发射腔设置于基板上,且所述发射腔是在与所述基板相反的方向上发射光的顶发射装置。

16.根据权利要求1至15中任一项所述的发光装置,其特征在于,进一步包括平坦化材料层,所述平坦化材料层设置在所述填充材料层上且具有小于所述填充材料层的折射率。

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