[发明专利]一种半导体专用氧化铜粉体材料制备工艺

权利要求书

1.一种半导体专用氧化铜粉体材料制备工艺，包括一种制备方法，具体步骤如下：

S1：将铜片放入干燥箱内进行加热干燥；

S2：将干燥后的铜片放入破碎箱(1)中进行破碎；

S3：铜片经过齿轮螺杆(12)和螺纹铰刀螺杆(13)破碎成碎片，掉落在研磨装置(3)内部的通孔；

S4：研磨装置(3)通过驱动装置(4)带动第一粉碎盘(34)和第二粉碎盘(35)转动，对铜片进行粉碎；

S5：在研磨装置(3)离心力的作用下，使铜片碎末进入第一粉碎盘(34)和第二粉碎盘(35)内部的通孔，在研磨盘(33)的作用下，将铜片碎末研磨成细小粉末；

S6：再通过研磨装置(3)的离心力的作用下，将粉末散落在反应箱(2)的内壁，掉落在加热筒(6)内部；

S7：通过启动加热炉(62)对加热筒(6)内部的粉末进行加热，并同时启动第一搅拌装置(5)对粉末进行搅拌；

S8：待加热完成后，通过拉动液压杆(63)，将加热筒(6)取出，再将加热筒(6)内部粉末倒入氧化箱(7)内部；

S9：通过启动抽气泵(74)和氧气罐(73)，使纯净氧气充满氧化箱(7)后，关闭抽气泵(74)；

S10：启动加热线圈(75)和第二搅拌装置(8)，使粉末在氧化箱(7)内部进行氧化反应；

S11：待反应完成后，关闭氧气罐(73)，打开出料密封门(76)，得到氧化铜粉体材料。

2.根据权利要求1所述的一种半导体专用氧化铜粉体材料制备工艺，其特征在于：所述破碎箱(1)底端通过直角架固定安装所述反应箱(2)，所述反应箱(2)内部通过螺栓固定安装所述研磨装置(3)，所述研磨装置(3)右端啮合连接所述驱动装置(4)，所述反应箱(2)内部下端通过直角架固定安装所述第一搅拌装置(5)，所述反应箱(2)内部底端卡接所述加热筒(6)，所述反应箱(2)的外壁通过螺栓固定安装所述氧化箱(7)，所述氧化箱(7)顶端两侧通过直角架固定安装所述第二搅拌装置(8)。

3.根据权利要求2所述的一种半导体专用氧化铜粉体材料制备工艺，其特征在于：所述破碎箱(1)内壁顶端两侧焊接限位块(11)，所述破碎箱(1)内部顶端插接齿轮螺杆(12)，所述齿轮螺杆(12)后端套接第一破碎电机(121)的输出端，所述破碎箱(1)内部底端设有螺纹铰刀螺杆(13)，所述螺纹铰刀螺杆(13)后端套接第二破碎电机(131)的输出端，所述螺纹铰刀螺杆(13)之间通过皮带(132)连接，所述破碎箱(1)外壁底端两侧设有导向块(14)；

所述齿轮螺杆(12)之间通过皮带连接，所述第一破碎电机(121)和所述第二破碎电机(131)通过直角架固定安装在所述破碎箱(1)的外壁后端，所述导向块(14)插接在所述反应箱(2)的内部顶端。

4.根据权利要求2所述的一种半导体专用氧化铜粉体材料制备工艺，其特征在于：所述反应箱(2)内部中间焊接固定爪盘(21)，所述固定爪盘(21)顶端通过直角架固定安装所述研磨装置(3)，所述固定爪盘(21)底端通过直角架固定安装所述第一搅拌装置(5)。

5.根据权利要求4所述的一种半导体专用氧化铜粉体材料制备工艺，其特征在于：所述研磨装置(3)包括研磨电机(31)，所述研磨电机(31)通过直角架固定安装在固定爪盘(21)的顶端，所述研磨电机(31)输出端套接轴杆(32)，所述轴杆(32)底端套接研磨盘(33)，所述研磨盘(33)上端设有第一粉碎盘(34)，所述第一粉碎盘(34)顶端设有第二粉碎盘(35)；

所述第一粉碎盘(34)与所述第二粉碎盘(35)通过轴承套接在所述轴杆(32)的外壁；

所述第一粉碎盘(34)表面四周设有导向凸块(341)，所述导向凸块(341)插接在所述第二粉碎盘(35)的内部底端，所述第一粉碎盘(34)表面卡接磨块(342)；

所述第一粉碎盘(34)、所述第二粉碎盘(35)和所述磨块(342)内部均设有通孔。