[发明专利]气密性射频MEMS器件的制作方法及气密性射频MEMS器件

权利要求书

1.一种气密性射频MEMS器件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：在衬底圆片上加工出TGV填实通孔结构，从而形成第一中间产品件；

S2：在所述第一中间产品件的上表面上沉积生长出第一SiO₂介质层，在所述第一SiO₂介质层中加工出传输线路及第一焊盘，所述传输线路及所述第一焊盘分别与对应的所述TGV填实通孔结构电连接，从而形成第二中间产品件；

S3：在所述第二中间产品件的上表面上沉积生长出第二SiO₂介质层，在所述第二SiO₂介质层中加工出层间互联通孔结构，所述层间互联通孔结构与所述第一焊盘电连接，从而形成第三中间产品件；

S4：在所述第三中间产品件的上表面上沉积生长出第三SiO₂介质层，在所述第三SiO₂介质层中加工出下拉电极和第二焊盘，所述第二焊盘与所述层间互联通孔结构电连接，从而形成第四中间产品件；

S5：在所述第四中间产品件的上表面上沉积生长出第四SiO₂介质层，在所述第四SiO₂介质层、所述第三SiO₂介质层及所述第二SiO₂介质层中加工出接触凸点，所述接触凸点的底部与一个所述传输线路电连接，从而形成第五中间产品件；

S6：在所述第五中间产品件的上表面上沉积牺牲层，在所述牺牲层中加工出键合环，所述键合环的底部与所述第四SiO₂介质层固定，在所述牺牲层、所述第四SiO₂介质层、所述第三SiO₂介质层及所述第二SiO₂介质层中加工出锚点，所述锚点的底部与另一个所述传输线路电连接，在所述牺牲层的上表面上加工出上极板，所述上极板与所述锚点的顶部电连接相连，所述锚点、所述上极板和所述接触凸点均位于所述键合环内，从而形成第六中间产品件；

S7：释放所述第六中间产品件中的所述牺牲层，从而形成第七中间产品件；

S8：制作封装盖板，所述封装盖板的底面具有封装内腔，所述封装盖板的上侧和所述封装盖板的下侧除去所述封装内腔的部位均具有掩蔽层，所述封装盖板的下侧的所述掩蔽层上设有键合密封环，所述封装内腔位于所述键合密封环内；

S9：将所述第七中间产品件的所述键合环与所述封装盖板的所述键合密封环对齐，进行圆片级金属键合，从而形成第八中间产品件；

S10：在所述第八中间产品件的所述衬底圆片的下表面上进行晶圆级植锡球，并对所述第八中间产品进行划片，从而得到最终的所述气密性射频MEMS器件。

2.根据权利要求1所述的气密性射频MEMS器件的制作方法，其特征在于，所述第一中间产品件的上表面、所述第二中间产品件的上表面、所述第三中间产品件的上表面和所述第四中间产品件的上表面均为抛光平整面。

3.根据权利要求1所述的气密性射频MEMS器件的制作方法，其特征在于，在所述步骤S1中，所述TGV填实通孔结构的具体加工步骤为：在所述衬底圆片上制作出通孔后，在所述通孔的内周壁上镀金属导电层，再在已镀过所述金属导电层的所述通孔内填充绝缘介质，从而加工出所述TGV填实通孔结构，或在所述通孔内全部填实导电金属，从而加工出所述TGV填实通孔结构。

4.根据权利要求1所述的气密性射频MEMS器件的制作方法，其特征在于，在所述步骤S2中，所述在所述第一SiO₂介质层中加工出传输线路及第一焊盘，具体包括如下步骤：在所述第一SiO₂介质层中先加工出露出所述衬底圆片的传输线路图形腔及第一焊盘图形腔；再在所述传输线路图形腔及所述第一焊盘图形腔中依次分别沉积生长出第一金属粘附层和第一金属线路层，所述第一金属粘附层用于粘固所述第一金属线路层。