[发明专利]一种半导体功率模组及半导体功率模组的封装方法

说明书

本发明公开一种半导体功率模组及半导体功率模组的封装方法，该半导体功率模组包括：晶片载体；第一晶片，其底面通过第一结合层结合于晶片载体的顶面；第一晶片的底面设有第一底部电极，第一底部电极与晶片载体电连接；第一晶片的内部设有导电柱，导电柱的一端与第一底部电极电连接，另一端由第一晶片的顶面露出；第二晶片，其底面通过第二结合层结合于第一晶片的顶面；第二晶片的底面设有第二底部电极；第二底部电极通过导电柱与第一底部电极电连接。该封装方法用于封装上述半导体功率模组。本发明的半导体功率模组及半导体功率模组的封装方法，将不同功能的晶片堆叠封装，实现了晶片间的电性互连，同时缩小了产品尺寸，可满足更高的应用需求。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种半导体功率模组及半导体功率模组的封装方法。

背景技术

现有的半导体功率模组，一般将两个或多个晶片焊在晶片载体上，然后通过金属线实现晶片的电极之间的电性互连，以满足功率模组的功能设计需求。半导体封装产品(如半导体功率模组)的体积越小，在应用于电子产品时，可提高电子产品内的器件的密集度、集成度。但是，现有技术中的功率模组的体积较大，不能满足更高的应用需求。

发明内容

本发明实施例的一个目的在于：提供一种半导体功率模组，其实现晶片的堆叠封装，并可缩小产品尺寸。

本发明实施例的另一个目的在于：提供一种半导体功率模组的封装方法，其可实现晶片的堆叠封装，并可缩小产品尺寸。

为达上述目的，本发明采用以下技术方案：

一种半导体功率模组，包括：

晶片载体；

第一晶片，其底面通过第一结合层结合于所述晶片载体的顶面；所述第一晶片的底面设有第一底部电极，所述第一底部电极与所述晶片载体电连接；所述第一晶片的内部设有导电柱，所述导电柱的一端与所述第一底部电极电连接，另一端由所述第一晶片的顶面露出；

第二晶片，其底面通过第二结合层结合于所述第一晶片的顶面；所述第二晶片的底面设有第二底部电极；所述第二底部电极通过所述导电柱与所述第一底部电极电连接。

作为优选，所述第一晶片的底面设有第一源极、第一栅极和第一漏极；所述第一源极、所述第一栅极和所述第一漏极均为所述第一底部电极；所述第二晶片的底面设有第二源极、第二栅极和第二漏极；所述第二源极、所述第二栅极和所述第二漏极均为所述第二底部电极；

所述半导体功率模组包括第一导电柱、第二导电柱和第三导电柱；所述第二源极通过所述第一导电柱与所述第一源极电连接，所述第二栅极通过所述第二导电柱与所述第一栅极电连接，所述第二漏极通过所述第三导电柱与所述第一漏极电连接。

作为优选，还包括金属连接片，所述金属连接片通过第三结合层结合于所述第二晶片的顶面；所述第二晶片的顶面设有第二顶部电极；所述第二顶部电极通过所述金属连接片与所述晶片载体电连接。

作为优选，所述第一晶片的底面设有第一源极、第一栅极和第一漏极；所述第一源极、所述第一栅极和所述第一漏极均为所述第一底部电极；

所述第二晶片的底面设有第二源极、第二栅极和第二漏极；所述第二源极为所述第二顶部电极；所述第二栅极和所述第二漏极均为所述第二底部电极；

所述半导体功率模组包括第二导电柱和第三导电柱，所述第二栅极通过所述第二导电柱与所述第一栅极电连接，所述第二漏极通过所述第三导电柱与所述第一漏极电连接。

作为优选，所述第一结合层内设有电连接结构，所述第一底部电极通过所述第一结合层内的所述电连接结构与所述晶片载体电连接；

所述第二结合层内设有电连接结构，所述第二底部电极通过所述第二结合层内的电连接结构与所述导电柱电连接。