[发明专利]ZQ校准电路及ZQ校准方法

权利要求书

1.一种ZQ校准电路，其特征在于，包括：

可调电阻模块，第一端通过切换开关接地或者连接电源，所述可调电阻模块的第二端连接芯片的ZQ端口；

上拉阻抗匹配模块，第一端连接电源；

下拉阻抗匹配模块，第一端与所述上拉阻抗匹配模块的第二端电性连接，所述下拉阻抗匹配模块的第二端接地，所述上拉阻抗匹配模块与所述下拉阻抗匹配模块的连接点分别与所述可调电阻模块的第二端和所述ZQ端口电性连接；

比较器，正向输入端与所述ZQ端口电性连接，所述比较器的反向输入端连接参考电压，所述比较器的输出端分别与所述上拉阻抗匹配模块的控制端和所述下拉阻抗匹配模块的控制端电性连接。

2.根据权利要求1所述的ZQ校准电路，其特征在于，所述可调电阻模块包括相互串联的n个电阻单元，第i+1个电阻单元的阻值为第i个电阻单元的阻值的一半，且第2～n个电阻单元分别与一开关并联，其中n为大于1的正整数，i为正整数。

3.根据权利要求2所述的ZQ校准电路，其特征在于，第i个电阻单元包括2^i-1个相互并联的基准电阻。

4.根据权利要求3所述的ZQ校准电路，其特征在于，所述基准电阻的阻值为120～240Ω。

5.根据权利要求3或4所述的ZQ校准电路，其特征在于，所述基准电阻的阻值为160Ω，n的值为8。

6.根据权利要求2所述的ZQ校准电路，其特征在于，所述上拉阻抗匹配模块包括：

第一MOS管组，第一端连接电源，所述第一MOS管组的第二端与所述下拉阻抗匹配模块的第一端电性连接，所述第一MOS管组与所述下拉阻抗匹配模块的连接点分别与所述可调电阻模块的第二端和所述ZQ端口电性连接；

第一逻辑控制单元，输入端与所述比较器的输出端电性连接，所述第一逻辑控制单元的输出端与所述第一MOS管组的控制端电性连接。

7.根据权利要求6所述的ZQ校准电路，其特征在于，所述第一MOS管组包括x+1个相互并联的PMOS管，每个所述PMOS管的源极分别连接电源，每个所述PMOS管的漏极分别与所述下拉阻抗匹配模块的第一端电性连接，每个所述PMOS管的栅极分别与所述第一逻辑控制单元的输出端电性连接，其中x＝2^n-1。

8.根据权利要求2或6或7所述的ZQ校准电路，其特征在于，所述下拉阻抗匹配模块包括：

第二MOS管组，第一端与所述上拉阻抗匹配模块的第二端电性连接，所述第二MOS管组的第二端接地，所述第二MOS管组与所述上拉阻抗匹配模块的连接点分别与所述可调电阻模块的第二端和所述ZQ端口电性连接；

第二逻辑控制单元，输入端与所述比较器的输出端电性连接，所述第二逻辑控制单元的输出端与所述第二MOS管组的控制端电性连接。

9.根据权利要求8所述的ZQ校准电路，其特征在于，所述第二MOS管组包括x+1个相互并联的NMOS管，每个所述NMOS管的源极分别接地，每个所述NMOS管的漏极分别与所述上拉阻抗匹配模块的第二端电性连接，每个所述NMOS管的栅极分别与所述第二逻辑控制单元的输出端电性连接，其中x＝2^n-1。

10.一种ZQ校准方法，其特征在于，包括：

对ZQ端口输入电流I，获取所述ZQ端口的电压V及阻值R0；

根据阻值R0与目标阻值R1之间的偏差度，调节可调电阻模块的阻值；

将切换开关接地，断开第二MOS管组，根据所述ZQ端口上的电压与参考电压的比较结果，调整第一MOS管组中的MOS管的导通个数，使所述ZQ端口上的电压等于所述参考电压；

将切换开关连接电源，断开第一MOS管组，根据所述ZQ端口上的电压与参考电压的比较结果，调整第二MOS管组中的MOS管的导通个数，使所述ZQ端口上的电压等于所述参考电压。