[发明专利]多孔吸盘的清洗方法

说明书

本发明提供了一种多孔吸盘的清洗方法，涉及半导体制备技术领域，具体包括以下步骤：利用第一清洗溶液对多孔吸盘表面的无机物杂质进行清洗；当所述多孔吸盘表面的无机物杂质清洗后，利用第二清洗溶液对多孔吸盘的孔洞中的有机物杂质进行清洗。与现有技术相比，本发明提供的多孔吸盘的清洗方法，首先对附着在多孔吸盘的表面的无机物杂质进行清洗，然后再对多孔吸盘的孔洞内的有机物杂质进行清洗，通过无机物杂质与有机物杂质分层处理，从而实现多孔吸盘的完全清洗。

技术领域

本发明涉及半导体制备技术领域，尤其是涉及一种多孔吸盘的清洗方法。

背景技术

半导体芯片制造过程中为满足芯片减薄到一定厚度而使用到临时键合技术，减薄完成后对键合Wafer进行解键合来分开半导体晶圆与基片。在进行解键合工艺时会用多孔吸盘来吸附100um厚度的半导体晶圆，此项工艺作业时会将键合粘结剂与键合Wafer上的金属残留在多孔吸盘上。残留的有机粘结剂杂质在温度120℃时处于完全液态，易被吸附进多孔吸盘的孔洞内，而其中无机物金属颗粒(例如Ni-AuGe合金)通常是附着在多孔吸盘的表层。有机粘结剂在加热状态下液化，受真空吸附力影响会流动到多孔吸盘的孔洞内，金属颗粒会在此加热状态下进行一定程度延展拉伸式的合金化，合金化金属结合力会增强，从而造成有机粘结剂在多孔吸盘的孔洞内和表面存在，合金化金属覆盖在有机粘结剂表面并将有机粘结剂进行包裹。此类残留影响其多孔吸盘表面光滑度，在使用时金属层会对半导体晶圆划伤降低芯片制造良品率，有机粘结剂会导致晶圆面污染与无法将晶圆从多孔吸盘上取下，导致工艺流程无法继续。

目前生产的多孔吸盘的要求表面光滑程度在纳米级别，因此要求烧结孔径小，传统清洗方式采用丙酮清洗，无法满足小孔径多孔吸盘的表面及孔洞内完全清洗的要求。

发明内容

本发明的目的在于提供一种多孔吸盘的清洗方法，以缓解了现有传统方式无法满足多孔吸盘的表面及孔洞内完全清洗要求的技术问题。

本发明提供的多孔吸盘的清洗方法，包括以下步骤：

利用第一清洗溶液对多孔吸盘表面的无机物杂质进行清洗；

当所述多孔吸盘表面的无机物杂质清洗后，利用第二清洗溶液对多孔吸盘的孔洞中的有机物杂质进行清洗。

进一步的，所述利用第一清洗溶液对多孔吸盘表面的无机物杂质进行清洗的步骤包括：

利用HCl：H₂O₂：H₂O＝(1～2)：(1～2)：(1～5)配比的溶液对待清洗的多孔吸盘浸泡清洗至少20min。

进一步的，利用HCl：H₂O₂：H₂O＝1：1：1配比的溶液对待清洗的多孔吸盘浸泡清洗25～35min。

进一步的，还包括在所述利用第二清洗溶液对多孔吸盘的孔洞中的有机物杂质进行清洗步骤之前进行的，利用第三清洗溶液对多孔吸盘的孔洞中的有机物杂质进行软化。

进一步的，所述对多孔吸盘的孔洞中的有机物杂质进行软化的步骤包括：

在75～85℃下，利用NMP溶液对去除无机物杂质的多孔吸盘浸泡20～30min。

进一步的，所述利用第三清洗溶液对多孔吸盘的孔洞中的有机物杂质进行清洗的步骤包括：

利用丙酮对软化后的多孔吸盘的孔洞中的有机物杂质清洗5～10min；

再利用异丙醇对多孔吸盘的孔洞中的有机物杂质清洗5～10min。

进一步的，利用丙酮对软化后的多孔吸盘的孔洞中的有机物杂质清洗5min；

再利用异丙醇对多孔吸盘的孔洞中的有机物杂质清洗5min。