[发明专利]一种基于共混聚合物介电层的OFET气体传感器制备方法

权利要求书

1.一种基于共混聚合物介电层的OFET气体传感器制备方法包括：采用溶液浸涂法，将ITO玻璃基底（3）浸没于聚苯乙烯和聚偏氟乙烯的混合溶液（1）中，通过调控聚苯乙烯和聚偏氟乙烯的组成、混合溶液（1）的浓度、浸涂时间、取出方式，以及调控退火温度、时间和环境，优化共混聚合物介电层（4）的形貌，接着真空蒸镀四噻吩诱导层（6）和酞菁锌敏感层（7），最后蒸镀金电极（8）得到基于共混聚合物介电层的OFET气体传感器。

2.根据权利要求1所述的一种基于共混聚合物介电层的OFET气体传感器制备方法，其特征在于，混合溶液（1）由聚苯乙烯、聚偏氟乙烯和甲苯组成，聚苯乙烯和聚偏氟乙烯的质量比在1∶0.5到1∶5之间，混合溶液（1）浓度为5-50 mg/ml。

3.根据权利要求1所述的一种基于共混聚合物介电层的OFET气体传感器制备方法，其特征在于，采用溶液浸涂的方法，在ITO玻璃基底（3）上均匀涂覆聚合物混合溶液（1），浸涂时间为1-10分钟，取出方式有水平取出，垂直取出和倾斜取出。

4.根据权利要求1所述的一种基于共混聚合物介电层的OFET气体传感器制备方法，其特征在于，采用退火的方法，固化烘干形成共混聚合物介电层（4），退火温度在50-100 ℃，退火时间为5-30分钟，退火环境有真空退火，甲苯蒸汽退火，以及大气环境退火。

5.根据权利要求1所述的一种基于共混聚合物介电层的OFET气体传感器制备方法，其特征在于，采用真空蒸镀法，在共混聚合物介电层（4）上沉积四噻吩诱导层（6）和酞菁锌敏感层（7），真空度为5.0×10^-4 Pa，四噻吩诱导层（6）的厚度在2-5 nm，衬底温度为185℃，酞菁锌敏感层（7）的厚度在10-50 nm，衬底温度为185 ℃，最后蒸镀金电极（8）得到基于共混聚合物介电层的OFET气体传感器。