[发明专利]一种ZnSnO薄膜晶体管的制备方法

权利要求书

1.一种ZnSnO薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

（1）将二水合氯化锡SnCl₂·2H₂O和醋酸锌二水合物Zn（CH₃COO）₂·2H₂O加入 2-甲氧基乙醇中，构成ZTO前驱体溶液，再加入单乙醇胺MEA作为稳定剂；将制备的溶液进行水浴加热，然后在室温下放置；

（2）利用原子层沉积ALD在清洁的p型硅晶片上制备 HfO₂介质层；

（3）将步骤（1）获得的ZTO前驱体溶液旋涂在HfO₂薄膜上，接下来将涂覆的薄膜放置在盛有氨水容器上方，具有挥发性NH₃扩散到有源层薄膜表面；然后用热板对薄膜加热；

（4）通过真空热蒸发制备约200纳米铝薄膜，并通过掩模版制备出源极和漏极。

2.根据权利要求1所述的一种ZnSnO薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：步骤（1）中Sn和Zn的摩尔比在3：7。

3.根据权利要求1所述的一种ZnSnO薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：步骤（1）中水浴加热具体为60°C搅拌下2小时；所述室温下放置12小时。

4.根据权利要求1所述的一种ZnSnO薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：步骤（2）HfO₂介质层制备条件为：在250°C下使用四(二甲胺基)鉿TDMAH和H₂O作为前驱体。

5.根据权利要求1所述的一种ZnSnO薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：步骤（2）HfO₂介质层厚度为30 nm。

6.根据权利要求5所述的一种ZnSnO薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：所述HfO₂介质层制备具体为：以500 rpm的速度旋转5 s，然后以3000 rpm的速度旋转30s以获得30纳米厚的薄膜。

7.根据权利要求1所述的一种ZnSnO薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：步骤（2）原子层沉积条件为：腔室压力控制在小于10mbar。

8.根据权利要求1所述的一种ZnSnO薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：步骤（3）将涂覆的薄膜放置在盛有氨水容器上方的时间为2-6分钟。

9.根据权利要求1所述的一种ZnSnO薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：步骤（3）用热板在300°C下对薄膜加热10分钟。

10.根据权利要求1所述的一种ZnSnO薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：步骤（3）热板对薄膜加热结束后，所有器件在500°C退火炉中放置2小时。