[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

隧道绝缘层；

电荷储存层；以及

扩散阻障层，所述扩散阻障层插入在所述隧道绝缘层与所述电荷储存层之间，所述扩散阻障层包括掺杂有碳、氮或氧中的至少一种的硅层。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电荷储存层形成为多层结构。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述碳、氮或氧中的至少一种位于掺杂硅层的晶粒、晶界或晶格缺陷中的至少一种中，以防止所述电荷储存层中包括的掺杂剂扩散至所述隧道绝缘层中。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述扩散阻障层包括：

未掺杂硅层，所述未掺杂硅层接触所述隧道绝缘层；以及

掺杂硅层，所述掺杂硅层插入在所述未掺杂硅层与所述电荷储存层之间，所述掺杂硅层包括碳、氮或氧中的至少一种。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其中，所述掺杂硅层具有比所述未掺杂硅层小的厚度。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述扩散阻障层包括：

第一掺杂硅层，所述第一掺杂硅层接触所述隧道绝缘层，所述第一掺杂硅层包括碳、氮或氧中的至少一种；以及

第二掺杂硅层，所述第二掺杂硅层插入在所述第一掺杂硅层与所述电荷储存层之间，所述第二掺杂硅层包括碳、氮、氧中的至少一种并且包括硼B或磷P。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第一掺杂硅层具有比所述第二掺杂硅层小的晶粒尺寸。

8.如权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第一掺杂硅层具有比所述第二掺杂硅层小的厚度。

9.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述扩散阻障层包括：

未掺杂硅层，所述未掺杂硅层接触所述隧道绝缘层；

第一掺杂硅层，所述第一掺杂硅层接触所述未掺杂硅层，所述第一掺杂硅层包括碳、氮或氧中的至少一种；以及

第二掺杂硅层，所述第二掺杂硅层插入在所述第一掺杂硅层与所述电荷储存层之间，所述第二掺杂硅层包括碳、氮、氧中的至少一种并且包括硼B或磷P。

10.一种半导体器件，包括：

交替层叠的导电层和绝缘层；

沟道层，所述沟道层穿透所述交替层叠的导电层和绝缘层；

隧道绝缘层，所述隧道绝缘层围绕所述沟道层；

电荷储存图案，所述电荷储存图案插入在所述隧道绝缘层与所述导电层之间；以及

扩散阻障图案，所述扩散阻障图案插入在所述隧道绝缘层与所述电荷储存图案之间，所述扩散阻障图案各自包括掺杂有氮、碳或氧中的至少一种的硅层。

11.如权利要求10所述的半导体器件，其中，所述电荷储存图案中的每个形成为多层结构。

12.如权利要求10所述的半导体器件，其中，所述碳、氮或氧中的至少一种位于掺杂硅层的晶粒、晶界或晶格缺陷中的至少一种中，以防止所述电荷储存层中包括的掺杂剂扩散至所述隧道绝缘层中。

13.如权利要求10所述的半导体器件，其中，所述扩散阻障图案中的每个包括：

未掺杂硅层，所述未掺杂硅层接触所述隧道绝缘层；以及

掺杂硅层，所述掺杂硅层插入在所述未掺杂硅层与所述电荷储存图案中的对应的一个电荷储存图案之间，所述掺杂硅层包括氮、碳或氧中的至少一种。