[发明专利]一种光电阴极及其应用

权利要求书

1.一种光电阴极，其特征在于，包括依次层叠设置的光电发射材料层、内表面增透膜、光入射窗和外表面增透膜；

所述内表面增透膜包括层叠设置的高折射率材料层和低折射率材料层；

所述内表面增透膜的层数≥2；

所述高折射率材料层的折射率与所述低折射率材料层的折射率之间的差值≥0.2；

所述光电发射材料层的光电发射材料包括Sb元素和/或Te元素。

2.如权利要求1所述的光电阴极，其特征在于，所述内表面增透膜的厚度为10nm～10μm。

3.如权利要求1或2所述的光电阴极，其特征在于，当内表面增透膜的层数为2，且所述光入射窗与低折射率材料层接触时，与所述光入射窗接触的低折射率材料层的折射率和所述光入射窗的折射率的差值≥0.2。

4.如权利要求1、2或3所述的光电阴极，其特征在于，所述低折射率材料层中的低折射率材料包括SiO₂、AlF₃、CeF₃、MgF₂、LiF、CaF₂、LaF₃、BaF₂、NaF、NdF₃、YbF₃、SmF₃、ThF₄和SrF₂中的一种或几种。

5.如权利要求1所述的光电阴极，其特征在于，所述高折射率材料层中的高折射率材料为Al₂O₃、Si₃N₄、HfO₂、金刚石、MgO、ZrO₂、AlN、TiN、BiF₃、CdS、Ho₂O₃、In₂O₃、Nb₂O₅、Y₂O₃、Nd₂O₃、PbCl₂、PbF₂、Sb₂O₃、Pr₆O₁₁、Gd₂O₃、Cr₂O₃、Dy₂O₃、MnO_x、CsBr、CsI、La₂O₃、BeO、TiO₂、SnO₂、Bi₂O₃、CeO₂、ZnS、ZnO、Sm₂O₃和Eu₂O₃中的一种或几种；

所述MnO_x中的x的取值范围为：1≤x≤2。

6.如权利要求1所述的光电阴极，其特征在于，所述光电发射材料层的厚度为10～2000nm。

7.如权利要求1或6所述的光电阴极，其特征在于，当所述光电发射材料层中的光电发射材料包括Sb元素时，所述光电发射材料还包括K元素、Na元素、Li元素、Cs元素、Rb元素和Te元素中的一种或几种；

当所述光电发射材料层中的光电发射材料包括Te元素时，所述光电发射材料还包括K元素、Na元素、Cs元素、Rb元素和Sb元素中的一种或几种。

8.如权利要求7所述的光电阴极，其特征在于，所述光电发射材料包括NaKSbCs、NaKSb、NaLiSb、NaKSbRbCs、KCsSb、RbCsSb、NaSbCs、CsSb、LiCsSb、CsTe、RbTe、KTe、CsTeSb、RbTeCs、KCsTe和KRbTe中的一种或几种。