[发明专利]一种碳化硅晶体生长炉石英管的清理方法在审
| 申请号： | 202110041610.6 | 申请日： | 2021-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN112871891A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | B08B9/027 | 分类号： | B08B9/027;B08B13/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 | 代理人： | 荣玲 |
| 地址： | 150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶体生长 石英管 清理 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种碳化硅晶体生长炉石英管的清理方法，其特征在于，将K2MnF6与SbF5装入待清洗石英管，将石英管水平放置装入石英管式炉，升温至100～300℃保温，保温结束后随炉冷却。
2.根据权利要求1所述一种碳化硅晶体生长炉石英管的清理方法，其特征在于，所述K2MnF6与SbF5的摩尔比为1:2～5。
3.根据权利要求1或2所述一种碳化硅晶体生长炉石英管的清理方法，其特征在于，所述K2MnF6与SbF5的摩尔比为1:2。
4.根据权利要求3所述一种碳化硅晶体生长炉石英管的清理方法，其特征在于，所述升温的升温速率为5～15℃/min。
5.根据权利要求4所述一种碳化硅晶体生长炉石英管的清理方法，其特征在于，所述保温时间为2～6h。
6.根据权利要求5所述一种碳化硅晶体生长炉石英管的清理方法，其特征在于，保温过程中维持管式炉内真空度为0.01～0.1Pa。
7.根据权利要求6所述一种碳化硅晶体生长炉石英管的清理方法，其特征在于，随炉冷却到室温后取出石英管，倒掉反应过后的残渣，用无尘布蘸取酒精擦拭石英管内壁，再使用干燥洁净的无尘布将石英管内壁擦干。
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