[发明专利]一种集总元件不等功分器及设计方法有效

专利信息
申请号: 202110041855.9 申请日: 2021-01-13
公开(公告)号: CN112886175B 公开(公告)日: 2022-03-04
发明(设计)人: 杨瑾屏;宋艳汝;刘志 申请(专利权)人: 上海科技大学
主分类号: H01P5/16 分类号: H01P5/16;H01P5/12
代理公司: 上海申汇专利代理有限公司 31001 代理人: 徐俊;柏子雵
地址: 201210 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 元件 不等 功分器 设计 方法
【权利要求书】:

1.一种集总元件不等功分器,其特征在于,电路结构由输入端口并联到地的电容C1,输入端口分别到输出端口一、输出端口二的电感L1和电感L3,输出端口一和输出端口二之间的串联的隔离电阻R和电容C2,以及隔离电阻R和电容C2之间并联到地的电感L2组成;

输入端口、输出端口一和输出端口二均具有端口阻抗匹配性能;输出端口一和输出端口二具有相等的非±90°相移,以及不相等的功率分配比,并且互相隔离。

2.如权利要求1所述的一种集总元件不等功分器,其特征在于,在所述电路结构内插入电长度为整数倍波长的传输线结构。

3.如权利要求1所述的一种集总元件不等功分器,其特征在于,所述电容C1、电容C2采用引线直插或者贴片封装的电容,或者采用高/低阻抗传输线所等效的等值电容;

所述电感L1、电感L2、电感L3采用引线直插或者贴片封装的电感,或者采用高/低阻抗传输线所等效的等值电感;

所述隔离电阻R采用引线直插或者贴片封装的电阻。

4.如权利要求1所述的一种集总元件不等功分器,其特征在于,所述电路结构所采用的电路工艺是采用PCB电路工艺实现,或采用单片微波集成电路、薄膜印刷电路、厚膜印刷电路、低温共烧陶瓷工艺实现。

5.一种如权利要求1所述的集总元件不等功分器的设计方法,其特征在于,如权利要求1所述的集总元件不等功分器中所述电容C1、所述电容C2、所述电感L1、所述电感L2、所述电感L3、所述隔离电阻R的参数值则由下式(1)-(6)计算:

L1=Zs0 (1)

L2=kL1/(k-1) (2)

L3=L1/k (3)

C1=C2=1/(Zsω0) (4)

R=Zs (5)

θ=tan-1(1-1/k) (6)

式(1)至式(6)中,Zs是端口阻抗,ω0是中心工作频率对应的角频率值,k2是输出端口一、输出端口二的功率分配比,其中,k2>1,θ是输入端口与输出端口一或输出端口二之间的相移。

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