[发明专利]一种碳化硅外延结构的制备方法及半导体设备在审
| 申请号： | 202110042524.7 | 申请日： | 2021-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN112885709A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 周长健;潘尧波;唐军 | 申请（专利权）人： | 中电化合物半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 苗晓娟 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 外延 结构 制备 方法 半导体设备 | ||
1.一种碳化硅外延结构的制备方法，其特征在于，至少包括以下步骤：
对反应腔室进行净化处理；
在净化处理之后的所述反应腔室内壁生长碳化硅保护层；
将碳化硅衬底放入所述反应腔室内，并对所述碳化硅衬底进行原位刻蚀；
在刻蚀后的所述碳化硅衬底上生长碳化硅缓冲层；
在所述碳化硅缓冲层上生长N型碳化硅外延层；
在所述N型碳化硅外延层上生长P型碳化硅外延层。
2.根据权利要求1所述的碳化硅外延结构的制备方法，其特征在于，当对反应腔室进行净化处理时，向所述反应腔室内通入刻蚀气体，刻蚀所述反应腔室的内部环境。
3.根据权利要求2所述的碳化硅外延结构的制备方法，其特征在于，所述刻蚀气体为氯气或者氯气和氩气的混合气。
4.根据权利要求3所述的碳化硅外延结构的制备方法，其特征在于，所述氯气和氩气的混合气中氯气的浓度占比大于5％。
5.根据权利要求3所述的碳化硅外延结构的制备方法，其特征在于，向所述反应腔室通入的刻蚀气体的流量大于或等于20升/分钟，刻蚀时间大于或等于10分钟。
6.根据权利要求3所述的碳化硅外延结构的制备方法，其特征在于，所述净化处理的温度为1400～1650℃。
7.根据权利要求1所述的碳化硅外延结构的制备方法，其特征在于，所述碳化硅保护层的厚度大于或等于5微米。
8.根据权利要求1所述的碳化硅外延结构的制备方法，其特征在于，所述N型碳化硅外延层的掺杂剂为氮气。
9.根据权利要求1所述的碳化硅外延结构的制备方法，其特征在于，所述P型碳化硅外延层的掺杂剂为三甲基铝。
10.一种用于权利要求1至9任一所述制备方法的半导体设备，其特征在于，所述半导体设备的反应腔室的进气装置中包括所述净化处理的进气管道。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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